纳米技术与精密工程
納米技術與精密工程
납미기술여정밀공정
NANOTECHNOLOGY AND PRECISION ENGINEERING
2012年
2期
160-164
,共5页
梁继然%胡明%阚强%后顺保%梁秀琴%陈弘达
樑繼然%鬍明%闞彊%後順保%樑秀琴%陳弘達
량계연%호명%감강%후순보%량수금%진홍체
VO2薄膜%电致相变%热致相变%射频磁控溅射
VO2薄膜%電緻相變%熱緻相變%射頻磁控濺射
VO2박막%전치상변%열치상변%사빈자공천사
采用射频磁控溅射方法和热处理工艺制备了二氧化钒( VO2)薄膜,并制作了金属钨/VO2/金属钨三明治结构,通过改变金属钨/VO2/金属钨三明治结构中VO2薄膜与金属钨电极的接触面积,研究了VO2薄膜的电致相变特性.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针和半导体参数测试仪对VO2薄膜的结晶取向、表面形貌、方块电阻和I-V特性进行了测试.实验结果表明,所制备的VO2薄膜为具有热致相变特性的单一组分VO2纳米薄膜,在热激励下,薄膜的方块电阻相变幅度达到2个数量级；在电压的激励下,VO2薄膜与金属钨的接触面积为12 μm×12 μm时,电流发生跳变的阈值电压为9.4V,随着接触面积的减小,阈值电压也逐渐降低.
採用射頻磁控濺射方法和熱處理工藝製備瞭二氧化釩( VO2)薄膜,併製作瞭金屬鎢/VO2/金屬鎢三明治結構,通過改變金屬鎢/VO2/金屬鎢三明治結構中VO2薄膜與金屬鎢電極的接觸麵積,研究瞭VO2薄膜的電緻相變特性.採用X射線衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、四探針和半導體參數測試儀對VO2薄膜的結晶取嚮、錶麵形貌、方塊電阻和I-V特性進行瞭測試.實驗結果錶明,所製備的VO2薄膜為具有熱緻相變特性的單一組分VO2納米薄膜,在熱激勵下,薄膜的方塊電阻相變幅度達到2箇數量級；在電壓的激勵下,VO2薄膜與金屬鎢的接觸麵積為12 μm×12 μm時,電流髮生跳變的閾值電壓為9.4V,隨著接觸麵積的減小,閾值電壓也逐漸降低.
채용사빈자공천사방법화열처리공예제비료이양화범( VO2)박막,병제작료금속오/VO2/금속오삼명치결구,통과개변금속오/VO2/금속오삼명치결구중VO2박막여금속오전겁적접촉면적,연구료VO2박막적전치상변특성.채용X사선연사의(XRD)、소묘전자현미경(SEM)、사탐침화반도체삼수측시의대VO2박막적결정취향、표면형모、방괴전조화I-V특성진행료측시.실험결과표명,소제비적VO2박막위구유열치상변특성적단일조분VO2납미박막,재열격려하,박막적방괴전조상변폭도체도2개수량급；재전압적격려하,VO2박막여금속오적접촉면적위12 μm×12 μm시,전류발생도변적역치전압위9.4V,수착접촉면적적감소,역치전압야축점강저.
