CAJ | 학술논문

研究了埋氧层中注氮后对制作出的部分耗尽SOI nMOSFET的特性产生的影响.实验发现,与不注氮的SIMOX基片相比,由注氮SIMON基片制作的nMOSFET的电子迁移率降低了.且由最低注入剂量的SIMON基片制作的器件具有最低的迁移率.随注入剂量的增加,迁移率略有上升,并趋于饱和.分析认为,电子迁移率的降低是由于Si/SiO2界面的不平整造成的.实验还发现,随氮注入剂量的提高,nMOSFET的阈值电压往负向漂移.但是,对应最低注入剂量的器件阈值电压却大于用SIMOX基片制作出的器件.固定氧化物正电荷及界面陷阱密度的大小和分布的变化可能是导致阈值电压变化的主要因素.另外发现,用注氮基片制作出的部分耗尽SOI nMOSFET的kink效应明显弱于用不注氮的SIMOX基片制作的器件.
연구료매양층중주담후대제작출적부분모진SOI nMOSFET적특성산생적영향.실험발현,여불주담적SIMOX기편상비,유주담SIMON기편제작적nMOSFET적전자천이솔강저료.차유최저주입제량적SIMON기편제작적기건구유최저적천이솔.수주입제량적증가,천이솔략유상승,병추우포화.분석인위,전자천이솔적강저시유우Si/SiO2계면적불평정조성적.실험환발현,수담주입제량적제고,nMOSFET적역치전압왕부향표이.단시,대응최저주입제량적기건역치전압각대우용SIMOX기편제작출적기건.고정양화물정전하급계면함정밀도적대소화분포적변화가능시도치역치전압변화적주요인소.령외발현,용주담기편제작출적부분모진SOI nMOSFET적kink효응명현약우용불주담적SIMOX기편제작적기건.