半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
6期
1115-1119
,共5页
FLASH memory%热载流子%耐久性%碰撞电离
FLASH memory%熱載流子%耐久性%踫撞電離
FLASH memory%열재류자%내구성%팽당전리
研究了ETOXTM结构FLASH memory单元器件在VFG≈VD/2的热载流子写入应力条件下,衬底负偏置对单元器件耐久性退化的影响.结果表明:在既定的栅、漏偏置条件下,随着衬底负偏置的增加,器件耐久性退化会出现极小值.综合考虑了器件耐久性退化以及写入效率两方面的要求以后,确定了在VFG≈VD/2热载流子写入应力模式下,FLASH memory单元器件具有增强写入效率以及最小耐久性退化的最佳衬底负偏置条件.
研究瞭ETOXTM結構FLASH memory單元器件在VFG≈VD/2的熱載流子寫入應力條件下,襯底負偏置對單元器件耐久性退化的影響.結果錶明:在既定的柵、漏偏置條件下,隨著襯底負偏置的增加,器件耐久性退化會齣現極小值.綜閤攷慮瞭器件耐久性退化以及寫入效率兩方麵的要求以後,確定瞭在VFG≈VD/2熱載流子寫入應力模式下,FLASH memory單元器件具有增彊寫入效率以及最小耐久性退化的最佳襯底負偏置條件.
연구료ETOXTM결구FLASH memory단원기건재VFG≈VD/2적열재류자사입응력조건하,츤저부편치대단원기건내구성퇴화적영향.결과표명:재기정적책、루편치조건하,수착츤저부편치적증가,기건내구성퇴화회출현겁소치.종합고필료기건내구성퇴화이급사입효솔량방면적요구이후,학정료재VFG≈VD/2열재류자사입응력모식하,FLASH memory단원기건구유증강사입효솔이급최소내구성퇴화적최가츤저부편치조건.
