采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌
채용인속류보호하적조제중단생장기술개선(0001)GaN표면형모
Improvement of Surface Morphology of RF MBE Grown(0001)GaN via In-Protected Growth Interruption Modulation
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 8期 1221-1225 ,共5页

    钟飞%邱凯%李新化%尹志军%姬长建%韩奇峰%曹先存%陈家荣%段铖宏%周秀菊%王玉琦

    종비%구개%리신화%윤지군%희장건%한기봉%조선존%진가영%단성굉%주수국%왕옥기

    调制中断%表面形貌%GaN薄膜 調製中斷%錶麵形貌%GaN薄膜
    조제중단%표면형모%GaN박막
    使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)法对GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量进行分析.实验结果表明:采用该技术生长的Ga极性GaN外延薄膜中的晶体表面残留Ga滴密度大大降低,GaN外延薄膜的表面形貌得到改善,其均方根粗糙度(RMS)由3nm降低为0.6nm,同时XRD双晶摇摆曲线测试的结果表明,GaN外延层的晶格质量也得到改善.
    사용분자속외연방법,채용In속류보호하적조제중단생장기술,재(0001)람보석츤저상생장GaN박막.이용반사식고능전자연사(RHEED)대생장진행실시감공,병용소묘전자현미경(SEM)、원자력현미경(AFM)화X사선연사(XRD)법대GaN외연박막적표면형모화정체질량진행분석.실험결과표명:채용해기술생장적Ga겁성GaN외연박막중적정체표면잔류Ga적밀도대대강저,GaN외연박막적표면형모득도개선,기균방근조조도(RMS)유3nm강저위0.6nm,동시XRD쌍정요파곡선측시적결과표명,GaN외연층적정격질량야득도개선.
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