中国矿业大学学报
中國礦業大學學報
중국광업대학학보
JOURNAL OF CHINA UNIVERSITY OF MINING & TECHNOLOGY
2008年
2期
276-280
,共5页
袁晓梅%闫鹏勋%孔凡成%方延平%郑晓慧
袁曉梅%閆鵬勛%孔凡成%方延平%鄭曉慧
원효매%염붕훈%공범성%방연평%정효혜
氮化铜薄膜%射频磁控溅射%表面形貌%择优取向
氮化銅薄膜%射頻磁控濺射%錶麵形貌%擇優取嚮
담화동박막%사빈자공천사%표면형모%택우취향
采用反应射频磁控溅射法,通过改变混合气体(N2+Ar)中氮气分压来改变元素的沉积能量和密度,在玻璃基底上制备出了表面光滑、致密的氮化铜(Cu3N)薄膜,研究了不同氮气分压对Cu3N薄膜的择优生长取向和晶粒尺寸的影响.结果表明:随着氮气分压的增加,Cu3N薄膜由沿(111)晶面择优生长转变为沿(100)晶面择优生长,晶粒尺寸变小,表面均方根粗糙度和光学带隙Eopt增大;薄膜在300 ℃的条件下会完全分解成铜和氮气;薄膜表面的Cu元素以+1价形式存在,Cu2p3/2,Cu2p1/2和N1s峰分别位于932.7,952.7和397.3 eV.
採用反應射頻磁控濺射法,通過改變混閤氣體(N2+Ar)中氮氣分壓來改變元素的沉積能量和密度,在玻璃基底上製備齣瞭錶麵光滑、緻密的氮化銅(Cu3N)薄膜,研究瞭不同氮氣分壓對Cu3N薄膜的擇優生長取嚮和晶粒呎吋的影響.結果錶明:隨著氮氣分壓的增加,Cu3N薄膜由沿(111)晶麵擇優生長轉變為沿(100)晶麵擇優生長,晶粒呎吋變小,錶麵均方根粗糙度和光學帶隙Eopt增大;薄膜在300 ℃的條件下會完全分解成銅和氮氣;薄膜錶麵的Cu元素以+1價形式存在,Cu2p3/2,Cu2p1/2和N1s峰分彆位于932.7,952.7和397.3 eV.
채용반응사빈자공천사법,통과개변혼합기체(N2+Ar)중담기분압래개변원소적침적능량화밀도,재파리기저상제비출료표면광활、치밀적담화동(Cu3N)박막,연구료불동담기분압대Cu3N박막적택우생장취향화정립척촌적영향.결과표명:수착담기분압적증가,Cu3N박막유연(111)정면택우생장전변위연(100)정면택우생장,정립척촌변소,표면균방근조조도화광학대극Eopt증대;박막재300 ℃적조건하회완전분해성동화담기;박막표면적Cu원소이+1개형식존재,Cu2p3/2,Cu2p1/2화N1s봉분별위우932.7,952.7화397.3 eV.
