量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2011年
5期
551-557
,共7页
谭晓靓%蒋庆辉%张庆礼%宁凯杰%周文龙%殷绍唐
譚曉靚%蔣慶輝%張慶禮%寧凱傑%週文龍%慇紹唐
담효정%장경휘%장경례%저개걸%주문룡%은소당
材料%结构%X射线衍射%Nd3+:GdNbO4%发光
材料%結構%X射線衍射%Nd3+:GdNbO4%髮光
재료%결구%X사선연사%Nd3+:GdNbO4%발광
用高温固相法合成了Nd3+:GdNbO4多晶,确定了它的结构,研究了它的光致发光.Nd3+:GdNbO4是单斜结构,空间群为I2/a.采用内标法,测定了(1 at％) Nd:GdNbO4的晶格参数.用Rietveld精修方法给出了Nd3+:GdNbO4的原子坐标.在808 nm光激发下,观察到925 nm、1065 nm、1345 nm三个发射带,分别来自于Nd3+的4F3/2→4 I9/2、4I11/2、4I13/2跃迁,以1065 nm处4F3/2-→4 I11/2的发射谱带强度最强.分析表明Nd3+在GdNbO4有很强的晶场作用,是一种潜在的新型激光材料.
用高溫固相法閤成瞭Nd3+:GdNbO4多晶,確定瞭它的結構,研究瞭它的光緻髮光.Nd3+:GdNbO4是單斜結構,空間群為I2/a.採用內標法,測定瞭(1 at％) Nd:GdNbO4的晶格參數.用Rietveld精脩方法給齣瞭Nd3+:GdNbO4的原子坐標.在808 nm光激髮下,觀察到925 nm、1065 nm、1345 nm三箇髮射帶,分彆來自于Nd3+的4F3/2→4 I9/2、4I11/2、4I13/2躍遷,以1065 nm處4F3/2-→4 I11/2的髮射譜帶彊度最彊.分析錶明Nd3+在GdNbO4有很彊的晶場作用,是一種潛在的新型激光材料.
용고온고상법합성료Nd3+:GdNbO4다정,학정료타적결구,연구료타적광치발광.Nd3+:GdNbO4시단사결구,공간군위I2/a.채용내표법,측정료(1 at％) Nd:GdNbO4적정격삼수.용Rietveld정수방법급출료Nd3+:GdNbO4적원자좌표.재808 nm광격발하,관찰도925 nm、1065 nm、1345 nm삼개발사대,분별래자우Nd3+적4F3/2→4 I9/2、4I11/2、4I13/2약천,이1065 nm처4F3/2-→4 I11/2적발사보대강도최강.분석표명Nd3+재GdNbO4유흔강적정장작용,시일충잠재적신형격광재료.
