微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
1期
121-125
,共5页
张立军%王子欧%于跃%郑坚斌%毛凌锋
張立軍%王子歐%于躍%鄭堅斌%毛凌鋒
장립군%왕자구%우약%정견빈%모릉봉
静态随机存储器%全数字锁相环%内建自测试%延时链%实速测试
靜態隨機存儲器%全數字鎖相環%內建自測試%延時鏈%實速測試
정태수궤존저기%전수자쇄상배%내건자측시%연시련%실속측시
提出了一种采用实速测试方式测试SRAM性能参数及可靠性的方案.该方案在内建自测试( BIST)电路的基础上,通过增加一个超高速ADPLL为SRAM性能的实速测试提供一个高频时钟,同时还加入延时链来产生不同相位的4个时钟.通过调整这4个时钟的相位来获得SRAM的关键性能参数,如存取时间、地址建立和保持时间等.该方案在UMC 55 nm CMOS标准逻辑工艺下流片验证.测试结果显示,SRAM最大测试工作频率约为1.3 GHz,测试精度为35 ps.
提齣瞭一種採用實速測試方式測試SRAM性能參數及可靠性的方案.該方案在內建自測試( BIST)電路的基礎上,通過增加一箇超高速ADPLL為SRAM性能的實速測試提供一箇高頻時鐘,同時還加入延時鏈來產生不同相位的4箇時鐘.通過調整這4箇時鐘的相位來穫得SRAM的關鍵性能參數,如存取時間、地阯建立和保持時間等.該方案在UMC 55 nm CMOS標準邏輯工藝下流片驗證.測試結果顯示,SRAM最大測試工作頻率約為1.3 GHz,測試精度為35 ps.
제출료일충채용실속측시방식측시SRAM성능삼수급가고성적방안.해방안재내건자측시( BIST)전로적기출상,통과증가일개초고속ADPLL위SRAM성능적실속측시제공일개고빈시종,동시환가입연시련래산생불동상위적4개시종.통과조정저4개시종적상위래획득SRAM적관건성능삼수,여존취시간、지지건립화보지시간등.해방안재UMC 55 nm CMOS표준라집공예하류편험증.측시결과현시,SRAM최대측시공작빈솔약위1.3 GHz,측시정도위35 ps.
