固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
3期
262-268
,共7页
霍昌隆%刘斯扬%钱钦松%孙伟锋
霍昌隆%劉斯颺%錢欽鬆%孫偉鋒
곽창륭%류사양%전흠송%손위봉
电安全工作区%驼峰现象%Kirk效应%电导调制
電安全工作區%駝峰現象%Kirk效應%電導調製
전안전공작구%타봉현상%Kirk효응%전도조제
研究了高压SOI-LDMOS器件在引入P-sink结构改善电安全工作区(E-SOA)后Ⅰ-Ⅴ特性曲线呈现的驼峰现象(hump).首先将驼峰现象出现后器件的源端总电流分成电子电流与空穴电流单独分析,确定高栅压下电子电流阶梯上升是驼峰现象产生的表面原因,进而通过仿真分析出Kirk效应导致的空穴电流在表面漂移区中电导调制是驼峰现象产生的根本原因.最后,根据对驼峰现象的分析,设计出新器件结构成功消除了驼峰现象,为今后不同类型LDMOS器件改善Ⅰ-Ⅴ曲线驼峰现象提供了理论指导.
研究瞭高壓SOI-LDMOS器件在引入P-sink結構改善電安全工作區(E-SOA)後Ⅰ-Ⅴ特性麯線呈現的駝峰現象(hump).首先將駝峰現象齣現後器件的源耑總電流分成電子電流與空穴電流單獨分析,確定高柵壓下電子電流階梯上升是駝峰現象產生的錶麵原因,進而通過倣真分析齣Kirk效應導緻的空穴電流在錶麵漂移區中電導調製是駝峰現象產生的根本原因.最後,根據對駝峰現象的分析,設計齣新器件結構成功消除瞭駝峰現象,為今後不同類型LDMOS器件改善Ⅰ-Ⅴ麯線駝峰現象提供瞭理論指導.
연구료고압SOI-LDMOS기건재인입P-sink결구개선전안전공작구(E-SOA)후Ⅰ-Ⅴ특성곡선정현적타봉현상(hump).수선장타봉현상출현후기건적원단총전류분성전자전류여공혈전류단독분석,학정고책압하전자전류계제상승시타봉현상산생적표면원인,진이통과방진분석출Kirk효응도치적공혈전류재표면표이구중전도조제시타봉현상산생적근본원인.최후,근거대타봉현상적분석,설계출신기건결구성공소제료타봉현상,위금후불동류형LDMOS기건개선Ⅰ-Ⅴ곡선타봉현상제공료이론지도.
