低温与超导
低溫與超導
저온여초도
CRYOGENICS AND SUPERCONDUCTIVITY
2012年
9期
32-35,39
,共5页
AlN薄膜%溅射电流%XRD%透射率%FTIR%EDS
AlN薄膜%濺射電流%XRD%透射率%FTIR%EDS
AlN박막%천사전류%XRD%투사솔%FTIR%EDS
采用DC磁控溅射法,分别在p-Si(111)和玻璃基片上沉积AlN薄膜.利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、台阶仪\紫外/可见分光光度计和傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)分析了薄膜的结构组分、表面形貌、膜厚、光学性能和红外吸收特性.结果 表明:溅射电流对A1N薄膜的生成有很大的影响,当电流增加到0.40A时,薄膜中出现明显的h-AlN(100)和AlN(110)衍射峰；样品的最大高度都小于30nm；样品在250-1000nm波长范围内具有较高的透射率,当溅射电流为0.4A时,薄膜的禁带宽度约为5.94eV；在677.12cm1处出现强烈的吸收峰.
採用DC磁控濺射法,分彆在p-Si(111)和玻璃基片上沉積AlN薄膜.利用X射線衍射(XRD)、X射線能譜儀(EDS)、原子力顯微鏡(AFM)、檯階儀\紫外/可見分光光度計和傅裏葉變換紅外光譜儀(FTIR)分析瞭薄膜的結構組分、錶麵形貌、膜厚、光學性能和紅外吸收特性.結果 錶明:濺射電流對A1N薄膜的生成有很大的影響,噹電流增加到0.40A時,薄膜中齣現明顯的h-AlN(100)和AlN(110)衍射峰；樣品的最大高度都小于30nm；樣品在250-1000nm波長範圍內具有較高的透射率,噹濺射電流為0.4A時,薄膜的禁帶寬度約為5.94eV；在677.12cm1處齣現彊烈的吸收峰.
채용DC자공천사법,분별재p-Si(111)화파리기편상침적AlN박막.이용X사선연사(XRD)、X사선능보의(EDS)、원자력현미경(AFM)、태계의\자외/가견분광광도계화부리협변환홍외광보의(FTIR)분석료박막적결구조분、표면형모、막후、광학성능화홍외흡수특성.결과 표명:천사전류대A1N박막적생성유흔대적영향,당전류증가도0.40A시,박막중출현명현적h-AlN(100)화AlN(110)연사봉；양품적최대고도도소우30nm；양품재250-1000nm파장범위내구유교고적투사솔,당천사전류위0.4A시,박막적금대관도약위5.94eV；재677.12cm1처출현강렬적흡수봉.
