氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化
담기분중고온열처리규편표면적직접담화
Direct-Nitridation of Silicon by Heat-Treating at High Temperature in Nitrogen Ambience
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2003年 10期 1049-1052 ,共4页

    祝洪良%杨德仁%汪雷%裴艳丽%阙端麟%张寒洁%何丕模

    축홍량%양덕인%왕뢰%배염려%궐단린%장한길%하비모

    氮化硅%X射线光电子谱%氮化 氮化硅%X射線光電子譜%氮化
    담화규%X사선광전자보%담화
    研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化,利用了XPS(X射线光电子谱)、SEM(扫描电子显微镜)、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪)等手段研究了在高纯氮和非高纯氮保护条件下不同温度热处理后的样品表面,结果发现只有用高纯氮保护和温度高于1100℃的条件下,氮气才能与硅表面发生反应,生成氮化硅(Si3N4)薄膜,否则氮保护中微量的氧气会和硅表面发生反应,生成二氧化硅(SiO2)薄膜.
    연구료직랍규단정편재담기분하열처리시적표면담화,이용료XPS(X사선광전자보)、SEM(소묘전자현미경)、금상현미경、XRD(X사선연사의)등수단연구료재고순담화비고순담보호조건하불동온도열처리후적양품표면,결과발현지유용고순담보호화온도고우1100℃적조건하,담기재능여규표면발생반응,생성담화규(Si3N4)박막,부칙담보호중미량적양기회화규표면발생반응,생성이양화규(SiO2)박막.
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