电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2006年
7期
39-43
,共5页
结穿刺%结漏电%阻挡层%应力%可靠性
結穿刺%結漏電%阻擋層%應力%可靠性
결천자%결루전%조당층%응력%가고성
针对BCD工艺中出现的NMOS管结漏电问题进行研究,通过失效分析的方法发现有结穿刺现象,怀疑为金属阻挡层工艺窗口较小.为进一步调查金属阻挡层的工艺容宽,尝试采用了苛刻的多次合金的方法对当前使用的阻挡层进行考察,发现经过多次合金处理的产品成品率大幅下降,从而确认金属阻挡层的工艺容宽较小.为了改进工艺进行准直溅射阻挡层、不同的金属阻挡层厚度、RTP、小应力阻挡层等试验,并结合多次合金的方法对阻挡层进行了考核.实验结果表明,应力过大是NMOS管漏电的根本原因.最后研发出一种优化的小应力阻挡层菜单,并成功应用于BCD工艺量产中.
針對BCD工藝中齣現的NMOS管結漏電問題進行研究,通過失效分析的方法髮現有結穿刺現象,懷疑為金屬阻擋層工藝窗口較小.為進一步調查金屬阻擋層的工藝容寬,嘗試採用瞭苛刻的多次閤金的方法對噹前使用的阻擋層進行攷察,髮現經過多次閤金處理的產品成品率大幅下降,從而確認金屬阻擋層的工藝容寬較小.為瞭改進工藝進行準直濺射阻擋層、不同的金屬阻擋層厚度、RTP、小應力阻擋層等試驗,併結閤多次閤金的方法對阻擋層進行瞭攷覈.實驗結果錶明,應力過大是NMOS管漏電的根本原因.最後研髮齣一種優化的小應力阻擋層菜單,併成功應用于BCD工藝量產中.
침대BCD공예중출현적NMOS관결루전문제진행연구,통과실효분석적방법발현유결천자현상,부의위금속조당층공예창구교소.위진일보조사금속조당층적공예용관,상시채용료가각적다차합금적방법대당전사용적조당층진행고찰,발현경과다차합금처리적산품성품솔대폭하강,종이학인금속조당층적공예용관교소.위료개진공예진행준직천사조당층、불동적금속조당층후도、RTP、소응력조당층등시험,병결합다차합금적방법대조당층진행료고핵.실험결과표명,응력과대시NMOS관루전적근본원인.최후연발출일충우화적소응력조당층채단,병성공응용우BCD공예양산중.
