材料热处理学报
材料熱處理學報
재료열처이학보
TRANSACTIONS OF MATERIALS AND HEAT TREATMENT
2007年
1期
5-8
,共4页
陈涛%席珍强%杨德仁%阙端麟
陳濤%席珍彊%楊德仁%闕耑麟
진도%석진강%양덕인%궐단린
快速热氧化(RTO)%二氧化硅薄膜%傅立叶红外吸收光谱
快速熱氧化(RTO)%二氧化硅薄膜%傅立葉紅外吸收光譜
쾌속열양화(RTO)%이양화규박막%부립협홍외흡수광보
通过傅立叶红外吸收光谱分析了不同温度和时间下在硅衬底上快速热氧化(RTO)处理后的样品.结果表明,在处理相同的时间下,随着热处理温度的升高,二氧化硅薄膜的非对称伸展振动模式峰强度增强,其峰位发生了偏移.在800℃下制备二氧化硅薄膜的热氧化动力学规律不同于1200℃下的情况.在800℃下,快速热氧化制备的薄膜中含有非化学计量比的氧化硅(SiOx),SiOxDE再氧化使得薄膜的氧化生长速率不断增加,同时也是导致红外吸收光谱中ASM峰位向长波数方向偏移.在1200℃下,快速热氧化制备的薄膜成份是二氧化硅,这种薄膜具有良好的介电性能.
通過傅立葉紅外吸收光譜分析瞭不同溫度和時間下在硅襯底上快速熱氧化(RTO)處理後的樣品.結果錶明,在處理相同的時間下,隨著熱處理溫度的升高,二氧化硅薄膜的非對稱伸展振動模式峰彊度增彊,其峰位髮生瞭偏移.在800℃下製備二氧化硅薄膜的熱氧化動力學規律不同于1200℃下的情況.在800℃下,快速熱氧化製備的薄膜中含有非化學計量比的氧化硅(SiOx),SiOxDE再氧化使得薄膜的氧化生長速率不斷增加,同時也是導緻紅外吸收光譜中ASM峰位嚮長波數方嚮偏移.在1200℃下,快速熱氧化製備的薄膜成份是二氧化硅,這種薄膜具有良好的介電性能.
통과부립협홍외흡수광보분석료불동온도화시간하재규츤저상쾌속열양화(RTO)처리후적양품.결과표명,재처리상동적시간하,수착열처리온도적승고,이양화규박막적비대칭신전진동모식봉강도증강,기봉위발생료편이.재800℃하제비이양화규박막적열양화동역학규률불동우1200℃하적정황.재800℃하,쾌속열양화제비적박막중함유비화학계량비적양화규(SiOx),SiOxDE재양화사득박막적양화생장속솔불단증가,동시야시도치홍외흡수광보중ASM봉위향장파수방향편이.재1200℃하,쾌속열양화제비적박막성빈시이양화규,저충박막구유량호적개전성능.
