功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2010年
4期
347-352
,共6页
单尼娜%吕长志%李志国%张小玲%郭春生%朱春节
單尼娜%呂長誌%李誌國%張小玲%郭春生%硃春節
단니나%려장지%리지국%장소령%곽춘생%주춘절
VDMOS%辐照%阈值电压%存储%退火
VDMOS%輻照%閾值電壓%存儲%退火
VDMOS%복조%역치전압%존저%퇴화
对VDMOS各样品进行总剂量3KGy(Si)的γ射线辐照试验,对比了试验前后的阈值电压、亚阈值电流、跨导及导通电阻的变化情况,并从理论上分析了参数退化的原因.然后研究了辐照后VDMOS各样品在室温下长时间存储及退火后参数的变化情况,并做出了解释.试验结果表明:γ射线辐照使得各样品参数有不同程度的退化,其中,A类样品的阈值电压平均退化4.5V,B类样品平均退化1.74V;亚阈值电流增长大于2个数量级;跨导平均增长0.7S;导通电阻平均退化0.052Ω.在室温下长时间存储后样品参数有小幅度的恢复.高温退火使得样品各参数基本恢复至辐照前水平.
對VDMOS各樣品進行總劑量3KGy(Si)的γ射線輻照試驗,對比瞭試驗前後的閾值電壓、亞閾值電流、跨導及導通電阻的變化情況,併從理論上分析瞭參數退化的原因.然後研究瞭輻照後VDMOS各樣品在室溫下長時間存儲及退火後參數的變化情況,併做齣瞭解釋.試驗結果錶明:γ射線輻照使得各樣品參數有不同程度的退化,其中,A類樣品的閾值電壓平均退化4.5V,B類樣品平均退化1.74V;亞閾值電流增長大于2箇數量級;跨導平均增長0.7S;導通電阻平均退化0.052Ω.在室溫下長時間存儲後樣品參數有小幅度的恢複.高溫退火使得樣品各參數基本恢複至輻照前水平.
대VDMOS각양품진행총제량3KGy(Si)적γ사선복조시험,대비료시험전후적역치전압、아역치전류、과도급도통전조적변화정황,병종이론상분석료삼수퇴화적원인.연후연구료복조후VDMOS각양품재실온하장시간존저급퇴화후삼수적변화정황,병주출료해석.시험결과표명:γ사선복조사득각양품삼수유불동정도적퇴화,기중,A류양품적역치전압평균퇴화4.5V,B류양품평균퇴화1.74V;아역치전류증장대우2개수량급;과도평균증장0.7S;도통전조평균퇴화0.052Ω.재실온하장시간존저후양품삼수유소폭도적회복.고온퇴화사득양품각삼수기본회복지복조전수평.
