电子技术
電子技術
전자기술
ELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
5期
66-68
,共3页
王龙%高珊%陈军宁%柯导明
王龍%高珊%陳軍寧%柯導明
왕룡%고산%진군저%가도명
横向扩散金属氧化物半导体%高阻漂移区%线性变掺杂%导通电阻%解析模型
橫嚮擴散金屬氧化物半導體%高阻漂移區%線性變摻雜%導通電阻%解析模型
횡향확산금속양화물반도체%고조표이구%선성변참잡%도통전조%해석모형
首先建立了线性变掺杂高阻漂移区LDMOS的导通电阻的模型,通过分析、计算,得出它的导通电阻的解析表达式,然后用MATLAB软件和MEDICI软件对总导通电阻和各部分电阻进行模拟.经过讨论,得出其性能优于均匀掺杂高阻漂移区LDMOS的结论.
首先建立瞭線性變摻雜高阻漂移區LDMOS的導通電阻的模型,通過分析、計算,得齣它的導通電阻的解析錶達式,然後用MATLAB軟件和MEDICI軟件對總導通電阻和各部分電阻進行模擬.經過討論,得齣其性能優于均勻摻雜高阻漂移區LDMOS的結論.
수선건립료선성변참잡고조표이구LDMOS적도통전조적모형,통과분석、계산,득출타적도통전조적해석표체식,연후용MATLAB연건화MEDICI연건대총도통전조화각부분전조진행모의.경과토론,득출기성능우우균균참잡고조표이구LDMOS적결론.
