国产SiC衬底上利用AIN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜
국산SiC츤저상이용AIN완충층생장고질량GaN외연박막
High Quality GaN Layers Grown on SiC Substrates with AlN Buffers by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2011年 9期 896-901 ,共6页

    陈耀%王文新%黎艳%江洋%徐培强%马紫光%宋京%陈弘

    진요%왕문신%려염%강양%서배강%마자광%송경%진홍

    GaN%AlN%SiC衬底%MOCVD%X射线衍射 GaN%AlN%SiC襯底%MOCVD%X射線衍射
    GaN%AlN%SiC츤저%MOCVD%X사선연사
    采用高温AlN作为缓冲层在国产SiC衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长GaN外延薄膜.通过优化AlN缓冲层的生长参数得到了高质量的GaN外延薄膜,其对称(0002)面和非对称(1012)面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽分别达到130 arcsec和252 arcsec,这是目前报道的在国产SiC衬底上生长GaN最好的结果.文中研究了AlN缓冲层生长参数对GaN晶体质量的影响,还利用拉曼散射研究了GaN外延薄膜中的应力,发现具有越小X射线衍射摇摆曲线半峰宽的GaN外延薄膜受到的张应力也越小.
    채용고온AlN작위완충층재국산SiC츤저상이용금속유궤물화학기상외연기술생장GaN외연박막.통과우화AlN완충층적생장삼수득도료고질량적GaN외연박막,기대칭(0002)면화비대칭(1012)면X사선연사요파곡선적반봉관분별체도130 arcsec화252 arcsec,저시목전보도적재국산SiC츤저상생장GaN최호적결과.문중연구료AlN완충층생장삼수대GaN정체질량적영향,환이용랍만산사연구료GaN외연박막중적응력,발현구유월소X사선연사요파곡선반봉관적GaN외연박막수도적장응력야월소.
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