固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
5期
510-515
,共6页
溶胶-凝胶法%MIZO薄膜%薄膜晶体管
溶膠-凝膠法%MIZO薄膜%薄膜晶體管
용효-응효법%MIZO박막%박막정체관
通过溶胶-凝胶法在SiO2/Si衬底上制备Mg-In-Zn-O (MIZO)透明氧化物半导体薄膜,并制备了MIZO肖特基源漏薄膜晶体管.实验结果表明,制备的MIZO薄膜呈现非晶态,具有良好的透过率.5％配比的MIZO具有较好的晶体管特性,其他Mg配比的MIZO薄膜晶体管性能随着Mg含量增加而变差.实验结果发现,由于先在氧化层上淀积金属源漏,使得器件受到较多界面态的影响,导致漏电流崩塌效应,漏电流随着漏电压的增大而略微变小,当改变金属的淀积顺序时,此效应得到改善.
通過溶膠-凝膠法在SiO2/Si襯底上製備Mg-In-Zn-O (MIZO)透明氧化物半導體薄膜,併製備瞭MIZO肖特基源漏薄膜晶體管.實驗結果錶明,製備的MIZO薄膜呈現非晶態,具有良好的透過率.5％配比的MIZO具有較好的晶體管特性,其他Mg配比的MIZO薄膜晶體管性能隨著Mg含量增加而變差.實驗結果髮現,由于先在氧化層上澱積金屬源漏,使得器件受到較多界麵態的影響,導緻漏電流崩塌效應,漏電流隨著漏電壓的增大而略微變小,噹改變金屬的澱積順序時,此效應得到改善.
통과용효-응효법재SiO2/Si츤저상제비Mg-In-Zn-O (MIZO)투명양화물반도체박막,병제비료MIZO초특기원루박막정체관.실험결과표명,제비적MIZO박막정현비정태,구유량호적투과솔.5％배비적MIZO구유교호적정체관특성,기타Mg배비적MIZO박막정체관성능수착Mg함량증가이변차.실험결과발현,유우선재양화층상정적금속원루,사득기건수도교다계면태적영향,도치루전류붕탑효응,루전류수착루전압적증대이략미변소,당개변금속적정적순서시,차효응득도개선.
