电子学报
電子學報
전자학보
ACTA ELECTRONICA SINICA
2001年
8期
1076-1078
,共3页
a-Si∶H本征膜%Pin二极管%电子辐照%室温恢复%高温退火%光谱响应的峰值"红移”%辐射缺陷
a-Si∶H本徵膜%Pin二極管%電子輻照%室溫恢複%高溫退火%光譜響應的峰值"紅移”%輻射缺陷
a-Si∶H본정막%Pin이겁관%전자복조%실온회복%고온퇴화%광보향응적봉치"홍이”%복사결함
本文报道a-Si∶H本征膜及Pin二极管的1MeV1.4×1015,4.2×1015,8.4×1015/cm2电子幅照实验结果和退火行为.测量了电子辐照对a-Si∶H光暗电导率和光致发光谱的影响,以及a-Si∶H Pin二极管光伏特性和光谱响应随电子辐照剂量的变化.发现电子辐照在a-Si∶H本征膜和二极管中引起严重的损伤,和二极管光谱响应的峰值"红移”.但未见饱和现象,还观测到明显的室温恢复现象;但高温退火处理后未能完全恢复.本文对以上实验结果给出了合理的解释.
本文報道a-Si∶H本徵膜及Pin二極管的1MeV1.4×1015,4.2×1015,8.4×1015/cm2電子幅照實驗結果和退火行為.測量瞭電子輻照對a-Si∶H光暗電導率和光緻髮光譜的影響,以及a-Si∶H Pin二極管光伏特性和光譜響應隨電子輻照劑量的變化.髮現電子輻照在a-Si∶H本徵膜和二極管中引起嚴重的損傷,和二極管光譜響應的峰值"紅移”.但未見飽和現象,還觀測到明顯的室溫恢複現象;但高溫退火處理後未能完全恢複.本文對以上實驗結果給齣瞭閤理的解釋.
본문보도a-Si∶H본정막급Pin이겁관적1MeV1.4×1015,4.2×1015,8.4×1015/cm2전자폭조실험결과화퇴화행위.측량료전자복조대a-Si∶H광암전도솔화광치발광보적영향,이급a-Si∶H Pin이겁관광복특성화광보향응수전자복조제량적변화.발현전자복조재a-Si∶H본정막화이겁관중인기엄중적손상,화이겁관광보향응적봉치"홍이”.단미견포화현상,환관측도명현적실온회복현상;단고온퇴화처리후미능완전회복.본문대이상실험결과급출료합리적해석.
