开管扩Ga模型的初步建立
개관확Ga모형적초보건립
Initinal Establishment of the Module of Open-tube Ga Diffusion
  • 万方数据
    科学技术与工程 과학기술여공정
    SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
    2003年 1期 61-64 ,共4页

    裴素华%孙海波%修显武%薛成山%杨利%郭兴龙

    배소화%손해파%수현무%설성산%양리%곽흥룡

    Ga Sio2/Si 开管扩散模型 Ga Sio2/Si 開管擴散模型
    Ga Sio2/Si 개관확산모형
    依照二次离子质谱(SIMS)、扩散电阻(SRP)和原子力显微镜(AFM)等分析手段,首次阐述了P型杂质Ga由SiO2膜的吸收输运和SiO2-Si内界面上的分凝效应两者的统一,完成硅中可控制掺杂的全过程;并揭示了其中SiO2薄层的表面效应及Si的体内效应;初步建立起SiO2/Si系下开管扩散Ga的模型.
    의조이차리자질보(SIMS)、확산전조(SRP)화원자력현미경(AFM)등분석수단,수차천술료P형잡질Ga유SiO2막적흡수수운화SiO2-Si내계면상적분응효응량자적통일,완성규중가공제참잡적전과정;병게시료기중SiO2박층적표면효응급Si적체내효응;초보건립기SiO2/Si계하개관확산Ga적모형.
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