物理学报
物理學報
물이학보
2004年
8期
2467-2471
,共5页
张纪才%王建峰%王玉田%杨辉
張紀纔%王建峰%王玉田%楊輝
장기재%왕건봉%왕옥전%양휘
x射线三轴晶衍射%界面粗糙度%位错%InGaN/GaN多量子阱
x射線三軸晶衍射%界麵粗糙度%位錯%InGaN/GaN多量子阱
x사선삼축정연사%계면조조도%위착%InGaN/GaN다양자정
利用x射线三轴晶衍射和光致发光谱研究了生长参数In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱结构缺陷(如位错密度和界面粗糙度)和光致发光的影响.通过对(0002)对称和(1012)非对称联动扫描的每一个卫星峰的ω扫描,分别测量出了多量子阱的螺位错和刃位错平均密度,而界面粗糙度则由(0002)对称衍射的卫星峰半高全宽随级数的变化得出.试验发现多量子阱中的位错密度特别是刃位错密度和界面粗糙度随In源流量与Ⅲ族源流量比值的增加而增加,导致室温下光致发光性质的降低,从而也证明了刃位错在InGaN/GaN多量子阱中充当非辐射复合中心.试验同时发现此生长参数对刃位错的影响远大于对螺位错的影响.
利用x射線三軸晶衍射和光緻髮光譜研究瞭生長參數In源流量與Ⅲ族流量之比對InGaN/GaN多量子阱結構缺陷(如位錯密度和界麵粗糙度)和光緻髮光的影響.通過對(0002)對稱和(1012)非對稱聯動掃描的每一箇衛星峰的ω掃描,分彆測量齣瞭多量子阱的螺位錯和刃位錯平均密度,而界麵粗糙度則由(0002)對稱衍射的衛星峰半高全寬隨級數的變化得齣.試驗髮現多量子阱中的位錯密度特彆是刃位錯密度和界麵粗糙度隨In源流量與Ⅲ族源流量比值的增加而增加,導緻室溫下光緻髮光性質的降低,從而也證明瞭刃位錯在InGaN/GaN多量子阱中充噹非輻射複閤中心.試驗同時髮現此生長參數對刃位錯的影響遠大于對螺位錯的影響.
이용x사선삼축정연사화광치발광보연구료생장삼수In원류량여Ⅲ족류량지비대InGaN/GaN다양자정결구결함(여위착밀도화계면조조도)화광치발광적영향.통과대(0002)대칭화(1012)비대칭련동소묘적매일개위성봉적ω소묘,분별측량출료다양자정적라위착화인위착평균밀도,이계면조조도칙유(0002)대칭연사적위성봉반고전관수급수적변화득출.시험발현다양자정중적위착밀도특별시인위착밀도화계면조조도수In원류량여Ⅲ족원류량비치적증가이증가,도치실온하광치발광성질적강저,종이야증명료인위착재InGaN/GaN다양자정중충당비복사복합중심.시험동시발현차생장삼수대인위착적영향원대우대라위착적영향.
