半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
3期
439-443
,共5页
张书敬%杨瑞霞%高学邦%杨克武
張書敬%楊瑞霞%高學邦%楊剋武
장서경%양서하%고학방%양극무
砷化镓场效应晶体管%微波集成电路%功率器件模型%测试结构%精确建模
砷化鎵場效應晶體管%微波集成電路%功率器件模型%測試結構%精確建模
신화가장효응정체관%미파집성전로%공솔기건모형%측시결구%정학건모
在分析GaAs HFET/PHEMT建模设计、在片校准和测试方法的基础上,提出了电荷守恒的EEHEMT1模型,通过Cold FET测量技术,采用在片测试技术,结合窄脉冲测试技术,提出了GaAsHFET/PHEMT器件EEHEMT1大信号模型,实验说明提出的大信号模型模拟结果与实例结果吻合得很好.
在分析GaAs HFET/PHEMT建模設計、在片校準和測試方法的基礎上,提齣瞭電荷守恆的EEHEMT1模型,通過Cold FET測量技術,採用在片測試技術,結閤窄脈遲測試技術,提齣瞭GaAsHFET/PHEMT器件EEHEMT1大信號模型,實驗說明提齣的大信號模型模擬結果與實例結果吻閤得很好.
재분석GaAs HFET/PHEMT건모설계、재편교준화측시방법적기출상,제출료전하수항적EEHEMT1모형,통과Cold FET측량기술,채용재편측시기술,결합착맥충측시기술,제출료GaAsHFET/PHEMT기건EEHEMT1대신호모형,실험설명제출적대신호모형모의결과여실례결과문합득흔호.
