物理学报
物理學報
물이학보
2007年
6期
3488-3492
,共5页
方鲲%高善民%姜玮%张江%曹传宝%朱鹤孙
方鯤%高善民%薑瑋%張江%曹傳寶%硃鶴孫
방곤%고선민%강위%장강%조전보%주학손
纳米GaP%苯热%SIS生长机理
納米GaP%苯熱%SIS生長機理
납미GaP%분열%SIS생장궤리
采用金属Na,白磷和GaCl3为原料,在温和的苯热溶剂条件下制备了直径为20-40 nm,长度为200-500nm的GaP纳米棒和直径为20-40nm的球形颗粒.利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了反应条件对产物结晶性和形貌的影响.实验结果表明,当反应温度低于250℃时,产物基本上为GaP纳米棒,并随着反应温度升高,产物逐渐转化为球形纳米颗粒;当反应温度超过280℃时,产物完全为规则的球形.同时,GaP纳米棒的生长遵循SIS生长机理.
採用金屬Na,白燐和GaCl3為原料,在溫和的苯熱溶劑條件下製備瞭直徑為20-40 nm,長度為200-500nm的GaP納米棒和直徑為20-40nm的毬形顆粒.利用X射線衍射(XRD)、透射電子顯微鏡(TEM)和X射線光電子能譜(XPS)研究瞭反應條件對產物結晶性和形貌的影響.實驗結果錶明,噹反應溫度低于250℃時,產物基本上為GaP納米棒,併隨著反應溫度升高,產物逐漸轉化為毬形納米顆粒;噹反應溫度超過280℃時,產物完全為規則的毬形.同時,GaP納米棒的生長遵循SIS生長機理.
채용금속Na,백린화GaCl3위원료,재온화적분열용제조건하제비료직경위20-40 nm,장도위200-500nm적GaP납미봉화직경위20-40nm적구형과립.이용X사선연사(XRD)、투사전자현미경(TEM)화X사선광전자능보(XPS)연구료반응조건대산물결정성화형모적영향.실험결과표명,당반응온도저우250℃시,산물기본상위GaP납미봉,병수착반응온도승고,산물축점전화위구형납미과립;당반응온도초과280℃시,산물완전위규칙적구형.동시,GaP납미봉적생장준순SIS생장궤리.
