微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
7期
409-414
,共6页
应杰%范亚明%谭海仁%施辉伟
應傑%範亞明%譚海仁%施輝偉
응걸%범아명%담해인%시휘위
立方氮化硼薄膜%掺杂%硅%立方相含量%电学输运
立方氮化硼薄膜%摻雜%硅%立方相含量%電學輸運
립방담화붕박막%참잡%규%립방상함량%전학수운
采用双离子束辅助沉积技术制备了原位Si掺杂的c-BN薄膜.系统研究了辅源轰击束流大小、辅源气体组分比以及衬底温度对制备薄膜的影响.结果表明,在掺入Si杂质后,要保持高立方相含量,必须增强辅源离子的轰击强度;随着辅源混合气体中Ar含量的增加,立方相含量也逐步增加;中等衬底生长温度既可以保持薄膜中高立方相含量以及较好的晶体质量,又不会导致薄膜中应力过大.电学测试则显现掺杂薄膜具有明显的半导体特性和非晶态半导体的电学输运性质.
採用雙離子束輔助沉積技術製備瞭原位Si摻雜的c-BN薄膜.繫統研究瞭輔源轟擊束流大小、輔源氣體組分比以及襯底溫度對製備薄膜的影響.結果錶明,在摻入Si雜質後,要保持高立方相含量,必鬚增彊輔源離子的轟擊彊度;隨著輔源混閤氣體中Ar含量的增加,立方相含量也逐步增加;中等襯底生長溫度既可以保持薄膜中高立方相含量以及較好的晶體質量,又不會導緻薄膜中應力過大.電學測試則顯現摻雜薄膜具有明顯的半導體特性和非晶態半導體的電學輸運性質.
채용쌍리자속보조침적기술제비료원위Si참잡적c-BN박막.계통연구료보원굉격속류대소、보원기체조분비이급츤저온도대제비박막적영향.결과표명,재참입Si잡질후,요보지고립방상함량,필수증강보원리자적굉격강도;수착보원혼합기체중Ar함량적증가,립방상함량야축보증가;중등츤저생장온도기가이보지박막중고립방상함량이급교호적정체질량,우불회도치박막중응력과대.전학측시칙현현참잡박막구유명현적반도체특성화비정태반도체적전학수운성질.
