南昌大学学报（理科版）
南昌大學學報（理科版）
남창대학학보（이과판）
JOURNAL OF NANCHANG UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2006年
6期
585-589
,共5页
程海英%王立%方文卿%蒲勇%郑畅达%戴江南%江风益
程海英%王立%方文卿%蒲勇%鄭暢達%戴江南%江風益
정해영%왕립%방문경%포용%정창체%대강남%강풍익
ZnO%MOCVD%Cu/Si(111)基板%X射线衍射%光致发光
ZnO%MOCVD%Cu/Si(111)基闆%X射線衍射%光緻髮光
ZnO%MOCVD%Cu/Si(111)기판%X사선연사%광치발광
采用常压MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生长ZnO薄膜,研究了缓冲层的生长温度对ZnO外延膜性能的影响.实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪、光致发光谱仪对样品的表面形貌、晶体结构以及发光性能进行了分析.实验结果表明:ZnO/Cu/Si(111)外延膜的性能与缓冲层的生长温度有一定关系.当缓冲层温度控制在400 ℃附近时ZnO外延膜C轴取向较为明显、晶粒大小较均匀、结构也更为致密,并且PL光谱中与缺陷有关的深能级发射峰也相对较弱.
採用常壓MOCVD方法在Cu/Si(111)基闆上生長ZnO薄膜,研究瞭緩遲層的生長溫度對ZnO外延膜性能的影響.實驗通過榦涉顯微鏡、原子力顯微鏡、高分辨X射線衍射儀、光緻髮光譜儀對樣品的錶麵形貌、晶體結構以及髮光性能進行瞭分析.實驗結果錶明:ZnO/Cu/Si(111)外延膜的性能與緩遲層的生長溫度有一定關繫.噹緩遲層溫度控製在400 ℃附近時ZnO外延膜C軸取嚮較為明顯、晶粒大小較均勻、結構也更為緻密,併且PL光譜中與缺陷有關的深能級髮射峰也相對較弱.
채용상압MOCVD방법재Cu/Si(111)기판상생장ZnO박막,연구료완충층적생장온도대ZnO외연막성능적영향.실험통과간섭현미경、원자력현미경、고분변X사선연사의、광치발광보의대양품적표면형모、정체결구이급발광성능진행료분석.실험결과표명:ZnO/Cu/Si(111)외연막적성능여완충층적생장온도유일정관계.당완충층온도공제재400 ℃부근시ZnO외연막C축취향교위명현、정립대소교균균、결구야경위치밀,병차PL광보중여결함유관적심능급발사봉야상대교약.
