南京师大学报(自然科学版)
南京師大學報(自然科學版)
남경사대학보(자연과학판)
JOURNAL OF NANJING NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2011年
2期
45-49
,共5页
PDA%单晶硅%嫁接%表面
PDA%單晶硅%嫁接%錶麵
PDA%단정규%가접%표면
通过湿化学方法,首先将H-Si表面氯化得到Cl-Si表面,接着1,4-二氨基苯(PDA)分子与带有Cl-Si表面的单晶硅反应,使得PDA分子通过Si-N键接枝到硅表面.所得Si-N键通过接触角实验,XPS和AFM手段进行表征.本文综合这些数据探讨了反应进行的路线和机理.这种简单的方法提供了新的路线将功能共轭分子嫁接到半导体材料表面,为分子器件的制备提供了新的思路.
通過濕化學方法,首先將H-Si錶麵氯化得到Cl-Si錶麵,接著1,4-二氨基苯(PDA)分子與帶有Cl-Si錶麵的單晶硅反應,使得PDA分子通過Si-N鍵接枝到硅錶麵.所得Si-N鍵通過接觸角實驗,XPS和AFM手段進行錶徵.本文綜閤這些數據探討瞭反應進行的路線和機理.這種簡單的方法提供瞭新的路線將功能共軛分子嫁接到半導體材料錶麵,為分子器件的製備提供瞭新的思路.
통과습화학방법,수선장H-Si표면록화득도Cl-Si표면,접착1,4-이안기분(PDA)분자여대유Cl-Si표면적단정규반응,사득PDA분자통과Si-N건접지도규표면.소득Si-N건통과접촉각실험,XPS화AFM수단진행표정.본문종합저사수거탐토료반응진행적로선화궤리.저충간단적방법제공료신적로선장공능공액분자가접도반도체재료표면,위분자기건적제비제공료신적사로.
