兵工学报
兵工學報
병공학보
ACTA ARMAMENTARII
2001年
2期
244-247
,共4页
董相廷%田宏远%张伟%刘桂霞%洪元佳%洪广言
董相廷%田宏遠%張偉%劉桂霞%洪元佳%洪廣言
동상정%전굉원%장위%류계하%홍원가%홍엄언
Sn%SnO2%纳米晶%沉淀法
Sn%SnO2%納米晶%沉澱法
Sn%SnO2%납미정%침정법
用乙醇作为分散剂和保护剂,用反向沉淀法制备了SnO2纳米晶.XRD分析表明,当焙烧温度低于200℃时所合成的SnO2为非晶态纳米粒子;当焙烧温度在400～800℃时SnO2为单相纳米晶,属于四方晶系,空间群为P4/mnm.TEM分析表明,SnO2纳米粒子呈球形,随焙烧温度的升高,粒子明显增大.热失重分析表明,样品的热失重率主要取决于温度的影响,而焙烧时间的影响不大.相对密度测试表明,随SnO2纳米晶粒度的增大,粉末的密度增大.
用乙醇作為分散劑和保護劑,用反嚮沉澱法製備瞭SnO2納米晶.XRD分析錶明,噹焙燒溫度低于200℃時所閤成的SnO2為非晶態納米粒子;噹焙燒溫度在400～800℃時SnO2為單相納米晶,屬于四方晶繫,空間群為P4/mnm.TEM分析錶明,SnO2納米粒子呈毬形,隨焙燒溫度的升高,粒子明顯增大.熱失重分析錶明,樣品的熱失重率主要取決于溫度的影響,而焙燒時間的影響不大.相對密度測試錶明,隨SnO2納米晶粒度的增大,粉末的密度增大.
용을순작위분산제화보호제,용반향침정법제비료SnO2납미정.XRD분석표명,당배소온도저우200℃시소합성적SnO2위비정태납미입자;당배소온도재400～800℃시SnO2위단상납미정,속우사방정계,공간군위P4/mnm.TEM분석표명,SnO2납미입자정구형,수배소온도적승고,입자명현증대.열실중분석표명,양품적열실중솔주요취결우온도적영향,이배소시간적영향불대.상대밀도측시표명,수SnO2납미정립도적증대,분말적밀도증대.
