微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2003年
5期
439-442
,共4页
陈曦%庄奕琪%罗宏伟%胡净%韩孝勇
陳晞%莊奕琪%囉宏偉%鬍淨%韓孝勇
진희%장혁기%라굉위%호정%한효용
CMOS%深亚微米%集成电路%静电放电%LVTSCR%可靠性设计%抗噪声
CMOS%深亞微米%集成電路%靜電放電%LVTSCR%可靠性設計%抗譟聲
CMOS%심아미미%집성전로%정전방전%LVTSCR%가고성설계%항조성
CMOS工艺技术缩小到深亚微米阶段,电路的静电(ESD)保护能力受到了更大的限制.因此,需要采取更加有效并且可靠的静电放电保护设计.文章提出了一种新型的ESD保护电路,以LVTSCR结构为基础,结合栅耦合技术以及抗噪声干扰技术.这种新型电路即使被意外触发也不会引起闩锁效应,提高了ESD保护电路的可靠性,实现了全芯片保护.
CMOS工藝技術縮小到深亞微米階段,電路的靜電(ESD)保護能力受到瞭更大的限製.因此,需要採取更加有效併且可靠的靜電放電保護設計.文章提齣瞭一種新型的ESD保護電路,以LVTSCR結構為基礎,結閤柵耦閤技術以及抗譟聲榦擾技術.這種新型電路即使被意外觸髮也不會引起閂鎖效應,提高瞭ESD保護電路的可靠性,實現瞭全芯片保護.
CMOS공예기술축소도심아미미계단,전로적정전(ESD)보호능력수도료경대적한제.인차,수요채취경가유효병차가고적정전방전보호설계.문장제출료일충신형적ESD보호전로,이LVTSCR결구위기출,결합책우합기술이급항조성간우기술.저충신형전로즉사피의외촉발야불회인기산쇄효응,제고료ESD보호전로적가고성,실현료전심편보호.
