半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2004年
12期
48-51
,共4页
压控振荡器%电流控制型环振%CMOS锁相环%频率综合器
壓控振盪器%電流控製型環振%CMOS鎖相環%頻率綜閤器
압공진탕기%전류공제형배진%CMOS쇄상배%빈솔종합기
设计了一种基于锁相环宽输出范围(10～160M)的频率综合器,着重介绍了其中的压控振荡器(VCO)部分,采用单端、电流控制型的环振,使之在整个输出范围内,即0～1 20℃、工艺的ss～ffcorner,增益(Kvco.)的变化在3倍以内.无需根据输出频率对电荷泵的充、放电电流或环路滤波器中的电阻作不同设置,环路的衰减因子就可控制在可接受的范围内,并降低了对其它环路参数的要求.设计基于标准0.6μm N-WELL CMOS工艺,5V供电.
設計瞭一種基于鎖相環寬輸齣範圍(10～160M)的頻率綜閤器,著重介紹瞭其中的壓控振盪器(VCO)部分,採用單耑、電流控製型的環振,使之在整箇輸齣範圍內,即0～1 20℃、工藝的ss～ffcorner,增益(Kvco.)的變化在3倍以內.無需根據輸齣頻率對電荷泵的充、放電電流或環路濾波器中的電阻作不同設置,環路的衰減因子就可控製在可接受的範圍內,併降低瞭對其它環路參數的要求.設計基于標準0.6μm N-WELL CMOS工藝,5V供電.
설계료일충기우쇄상배관수출범위(10～160M)적빈솔종합기,착중개소료기중적압공진탕기(VCO)부분,채용단단、전류공제형적배진,사지재정개수출범위내,즉0～1 20℃、공예적ss～ffcorner,증익(Kvco.)적변화재3배이내.무수근거수출빈솔대전하빙적충、방전전류혹배로려파기중적전조작불동설치,배로적쇠감인자취가공제재가접수적범위내,병강저료대기타배로삼수적요구.설계기우표준0.6μm N-WELL CMOS공예,5V공전.
