微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
1期
14-17
,共4页
薛成山%郭永福%石锋%庄惠照%刘文军
薛成山%郭永福%石鋒%莊惠照%劉文軍
설성산%곽영복%석봉%장혜조%류문군
氮化镓%纳米线%磁控溅射%单晶%氨化%催化剂
氮化鎵%納米線%磁控濺射%單晶%氨化%催化劑
담화가%납미선%자공천사%단정%안화%최화제
利用射频磁控技术,在Si衬底上以Pd为缓冲层、Ga2O3,粉末作为生长GaN的Ga源,成功制备出大量GaN纳米线.通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出GaN纳米线为单晶结构,纳米线的直径为10～60 nm,长度达几十个微米.X射线衍射和X射线能量散射谱显示合成的纳米线为GaN单晶结构.傅里叶变换红外吸收光谱和光致发光光谱测试表明,制得的GaN纳米线与GaN体材料相比具有不同的光学特性.
利用射頻磁控技術,在Si襯底上以Pd為緩遲層、Ga2O3,粉末作為生長GaN的Ga源,成功製備齣大量GaN納米線.通過掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡和高分辨透射電子顯微鏡觀察分析得齣GaN納米線為單晶結構,納米線的直徑為10～60 nm,長度達幾十箇微米.X射線衍射和X射線能量散射譜顯示閤成的納米線為GaN單晶結構.傅裏葉變換紅外吸收光譜和光緻髮光光譜測試錶明,製得的GaN納米線與GaN體材料相比具有不同的光學特性.
이용사빈자공기술,재Si츤저상이Pd위완충층、Ga2O3,분말작위생장GaN적Ga원,성공제비출대량GaN납미선.통과소묘전자현미경、투사전자현미경화고분변투사전자현미경관찰분석득출GaN납미선위단정결구,납미선적직경위10～60 nm,장도체궤십개미미.X사선연사화X사선능량산사보현시합성적납미선위GaN단정결구.부리협변환홍외흡수광보화광치발광광보측시표명,제득적GaN납미선여GaN체재료상비구유불동적광학특성.
