半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
2期
118-121
,共4页
宽带%砷化镓%赝配高电子迁移率晶体管%均衡器%放大器
寬帶%砷化鎵%贗配高電子遷移率晶體管%均衡器%放大器
관대%신화가%안배고전자천이솔정체관%균형기%방대기
介绍了一种宽带放大器芯片,该放大器的工作频率覆盖了2～12 GHz,采用砷化镓( GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片电路工艺实现.在一个宽带负反馈放大器的前面集成了一个幅度均衡器,使放大器的增益在整个带内具有7 dB的正斜率,频率低端(2 GHz)增益为3 dB,高端(12 GHz)为10 dB,输入输出电压驻波比为1.6∶1,饱和输出功率为20 dBm,芯片尺寸为2.0 mm×1.5 mm×0.1 mm.详细描述了电路的设计流程,并对最终的测试结果进行了分析.该芯片具有频带宽、体积小、使用方便的特点,可作为增益块补偿微波系统中随着频率升高而产生的增益损失.
介紹瞭一種寬帶放大器芯片,該放大器的工作頻率覆蓋瞭2～12 GHz,採用砷化鎵( GaAs)贗配高電子遷移率晶體管(PHEMT)單片電路工藝實現.在一箇寬帶負反饋放大器的前麵集成瞭一箇幅度均衡器,使放大器的增益在整箇帶內具有7 dB的正斜率,頻率低耑(2 GHz)增益為3 dB,高耑(12 GHz)為10 dB,輸入輸齣電壓駐波比為1.6∶1,飽和輸齣功率為20 dBm,芯片呎吋為2.0 mm×1.5 mm×0.1 mm.詳細描述瞭電路的設計流程,併對最終的測試結果進行瞭分析.該芯片具有頻帶寬、體積小、使用方便的特點,可作為增益塊補償微波繫統中隨著頻率升高而產生的增益損失.
개소료일충관대방대기심편,해방대기적공작빈솔복개료2～12 GHz,채용신화가( GaAs)안배고전자천이솔정체관(PHEMT)단편전로공예실현.재일개관대부반궤방대기적전면집성료일개폭도균형기,사방대기적증익재정개대내구유7 dB적정사솔,빈솔저단(2 GHz)증익위3 dB,고단(12 GHz)위10 dB,수입수출전압주파비위1.6∶1,포화수출공솔위20 dBm,심편척촌위2.0 mm×1.5 mm×0.1 mm.상세묘술료전로적설계류정,병대최종적측시결과진행료분석.해심편구유빈대관、체적소、사용방편적특점,가작위증익괴보상미파계통중수착빈솔승고이산생적증익손실.
