发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
9期
966-972
,共7页
白光LED%电荷补偿%硅酸盐%团聚
白光LED%電荷補償%硅痠鹽%糰聚
백광LED%전하보상%규산염%단취
采用非均相沉淀法制备了Sr3-xSi1-xAlxO5∶xCe3+荧光粉,并与高温固相法制备的该荧光粉进行了对比.以XRD、SEM和荧光光谱分析来表征所制备的荧光粉.结果表明,非均相沉淀法比高温固相反应法制备的荧光粉相纯度更高,颗粒分布更窄,晶面清晰,团聚程度小,相对发光强度也更高.荧光粉的激发光谱为270 ～ 500 nm的双峰宽带,最强激发峰位于417 nm处.发射光谱为450 ～ 700 nm的单峰宽带,峰值位于525nm处.电荷补偿剂对荧光粉相对发光强度影响较大,外加Al3+置换Si4+作为电荷补偿剂比外加Li+置换Sr2+的效果更好.
採用非均相沉澱法製備瞭Sr3-xSi1-xAlxO5∶xCe3+熒光粉,併與高溫固相法製備的該熒光粉進行瞭對比.以XRD、SEM和熒光光譜分析來錶徵所製備的熒光粉.結果錶明,非均相沉澱法比高溫固相反應法製備的熒光粉相純度更高,顆粒分佈更窄,晶麵清晰,糰聚程度小,相對髮光彊度也更高.熒光粉的激髮光譜為270 ～ 500 nm的雙峰寬帶,最彊激髮峰位于417 nm處.髮射光譜為450 ～ 700 nm的單峰寬帶,峰值位于525nm處.電荷補償劑對熒光粉相對髮光彊度影響較大,外加Al3+置換Si4+作為電荷補償劑比外加Li+置換Sr2+的效果更好.
채용비균상침정법제비료Sr3-xSi1-xAlxO5∶xCe3+형광분,병여고온고상법제비적해형광분진행료대비.이XRD、SEM화형광광보분석래표정소제비적형광분.결과표명,비균상침정법비고온고상반응법제비적형광분상순도경고,과립분포경착,정면청석,단취정도소,상대발광강도야경고.형광분적격발광보위270 ～ 500 nm적쌍봉관대,최강격발봉위우417 nm처.발사광보위450 ～ 700 nm적단봉관대,봉치위우525nm처.전하보상제대형광분상대발광강도영향교대,외가Al3+치환Si4+작위전하보상제비외가Li+치환Sr2+적효과경호.
