光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2003年
8期
889-892
,共4页
Yb:YAG晶体%可见荧光%离子对%机理
Yb:YAG晶體%可見熒光%離子對%機理
Yb:YAG정체%가견형광%리자대%궤리
在半导体InGaAs激光激发Yb:YAG晶体的荧光中,有一组位于460～494 nm的可见荧光.分析了这些可见荧光产生的原因,指出它不同于红外荧光的发光机理,是一种离子对的合作吸收和发射.两个离子耦合成的离子对产生的可见荧光,其强度随激发功率的平方变化.提高晶体中离子对的密度,可见荧光可以得到增强.
在半導體InGaAs激光激髮Yb:YAG晶體的熒光中,有一組位于460～494 nm的可見熒光.分析瞭這些可見熒光產生的原因,指齣它不同于紅外熒光的髮光機理,是一種離子對的閤作吸收和髮射.兩箇離子耦閤成的離子對產生的可見熒光,其彊度隨激髮功率的平方變化.提高晶體中離子對的密度,可見熒光可以得到增彊.
재반도체InGaAs격광격발Yb:YAG정체적형광중,유일조위우460～494 nm적가견형광.분석료저사가견형광산생적원인,지출타불동우홍외형광적발광궤리,시일충리자대적합작흡수화발사.량개리자우합성적리자대산생적가견형광,기강도수격발공솔적평방변화.제고정체중리자대적밀도,가견형광가이득도증강.
