半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
10期
1963-1967
,共5页
段理%林碧霞%傅竹西%蔡俊江%张子俞
段理%林碧霞%傅竹西%蔡俊江%張子俞
단리%림벽하%부죽서%채준강%장자유
ZnO%异质结%光伏效应
ZnO%異質結%光伏效應
ZnO%이질결%광복효응
通过直流反应溅射制备了整流特性良好的ZnO/p-Si异质结,并在该异质结上观察到了明显的光电转换特性.研究表明ZnO薄膜中的电子浓度在一个合适的数值(1.6×1015cm-3)时光电流最强,另外晶粒尺寸越大光电流越强.分析表明,电子浓度和晶粒直径对光电流的影响规律在很大程度上是载流子散射导致的.此外,还发现ZnO薄膜存在一个临界厚度,当薄膜厚度大于该临界厚度时,异质结的光电压和光电流都急剧衰减并很快接近于0.实验表明,这个临界厚度和ZnO薄膜(001)面最大晶粒直径一致.
通過直流反應濺射製備瞭整流特性良好的ZnO/p-Si異質結,併在該異質結上觀察到瞭明顯的光電轉換特性.研究錶明ZnO薄膜中的電子濃度在一箇閤適的數值(1.6×1015cm-3)時光電流最彊,另外晶粒呎吋越大光電流越彊.分析錶明,電子濃度和晶粒直徑對光電流的影響規律在很大程度上是載流子散射導緻的.此外,還髮現ZnO薄膜存在一箇臨界厚度,噹薄膜厚度大于該臨界厚度時,異質結的光電壓和光電流都急劇衰減併很快接近于0.實驗錶明,這箇臨界厚度和ZnO薄膜(001)麵最大晶粒直徑一緻.
통과직류반응천사제비료정류특성량호적ZnO/p-Si이질결,병재해이질결상관찰도료명현적광전전환특성.연구표명ZnO박막중적전자농도재일개합괄적수치(1.6×1015cm-3)시광전류최강,령외정립척촌월대광전류월강.분석표명,전자농도화정립직경대광전류적영향규률재흔대정도상시재류자산사도치적.차외,환발현ZnO박막존재일개림계후도,당박막후도대우해림계후도시,이질결적광전압화광전류도급극쇠감병흔쾌접근우0.실험표명,저개림계후도화ZnO박막(001)면최대정립직경일치.
