半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
4期
721-724
,共4页
吴贵斌%叶志镇%赵星%刘国军%赵炳辉
吳貴斌%葉誌鎮%趙星%劉國軍%趙炳輝
오귀빈%협지진%조성%류국군%조병휘
金属诱导生长%超高真空化学气相沉积%异质生长%NiSi化物
金屬誘導生長%超高真空化學氣相沉積%異質生長%NiSi化物
금속유도생장%초고진공화학기상침적%이질생장%NiSi화물
采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积相结合的方法,低温下在氧化Si衬底上制备出了多晶GeSi薄膜.利用X射线衍射仪、场发射扫描电镜等对多晶GeSi薄膜的晶体质量、表面形貌进行了表征,研究了在Ni上生长多晶GeSi的生长方式及表面形貌随生长参数变化的规律.结果表明,在温度高于510℃时,Ni金属诱导作用明显;生长压强为10Pa时,多晶GeSi能够形成连续致密的薄膜,而采用先低压(0.1Pa)后高压(10Pa)的生长方式,多晶GeSi呈现分离的晶须状,晶须尺寸多在100nm以上.
採用金屬Ni誘導與超高真空化學氣相沉積相結閤的方法,低溫下在氧化Si襯底上製備齣瞭多晶GeSi薄膜.利用X射線衍射儀、場髮射掃描電鏡等對多晶GeSi薄膜的晶體質量、錶麵形貌進行瞭錶徵,研究瞭在Ni上生長多晶GeSi的生長方式及錶麵形貌隨生長參數變化的規律.結果錶明,在溫度高于510℃時,Ni金屬誘導作用明顯;生長壓彊為10Pa時,多晶GeSi能夠形成連續緻密的薄膜,而採用先低壓(0.1Pa)後高壓(10Pa)的生長方式,多晶GeSi呈現分離的晶鬚狀,晶鬚呎吋多在100nm以上.
채용금속Ni유도여초고진공화학기상침적상결합적방법,저온하재양화Si츤저상제비출료다정GeSi박막.이용X사선연사의、장발사소묘전경등대다정GeSi박막적정체질량、표면형모진행료표정,연구료재Ni상생장다정GeSi적생장방식급표면형모수생장삼수변화적규률.결과표명,재온도고우510℃시,Ni금속유도작용명현;생장압강위10Pa시,다정GeSi능구형성련속치밀적박막,이채용선저압(0.1Pa)후고압(10Pa)적생장방식,다정GeSi정현분리적정수상,정수척촌다재100nm이상.
