高压PECVD技术沉积硅基薄膜过程中硅烷状态的研究
고압PECVD기술침적규기박막과정중규완상태적연구
Research on silane depletion status during the deposition of silicon thin films by high-pressure PECVD
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2007年 2期 1177-1181 ,共5页

    侯国付%薛俊明%孙建%郭群超%张德坤%任慧志%赵颖%耿新华%李乙钢

    후국부%설준명%손건%곽군초%장덕곤%임혜지%조영%경신화%리을강

    耗尽状态%微晶硅%光发射谱 耗儘狀態%微晶硅%光髮射譜
    모진상태%미정규%광발사보
    采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法在不同功率下制备了一系列硅薄膜材料,研究了材料晶化率和生长速度随功率变化的规律,进而研究PECVD方法沉积硅薄膜过程中的硅烷反应状态,并提出可以根据硅烷耗尽程度的不同将硅烷反应状态分为未耗尽、耗尽和过耗尽三种.然后,对不同硅烷反应状态下的材料结构、光电性能以及相应的电池进行了研究,并指出适合于太阳电池本征层的高质量微晶硅材料应该沉积在硅烷耗尽状态.
    채용고압사빈등리자체증강화학기상침적(RF-PECVD)방법재불동공솔하제비료일계렬규박막재료,연구료재료정화솔화생장속도수공솔변화적규률,진이연구PECVD방법침적규박막과정중적규완반응상태,병제출가이근거규완모진정도적불동장규완반응상태분위미모진、모진화과모진삼충.연후,대불동규완반응상태하적재료결구、광전성능이급상응적전지진행료연구,병지출괄합우태양전지본정층적고질량미정규재료응해침적재규완모진상태.
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