核技术
覈技術
핵기술
NUCLEAR TECHNIQUES
2007年
4期
269-272
,共4页
刘昌龙%王卓%尹立军%吕依颖%张晓东
劉昌龍%王卓%尹立軍%呂依穎%張曉東
류창룡%왕탁%윤립군%려의영%장효동
单晶Si%He离子注入%空腔%He原子热释放%光致发光
單晶Si%He離子註入%空腔%He原子熱釋放%光緻髮光
단정Si%He리자주입%공강%He원자열석방%광치발광
室温下使用40 keV He离子注入单晶Si样品到剂量5×1016 cm-2,分别采用透射电子显微镜(TEM)、热解吸谱仪(THDS)、光致发光谱仪(PL)详细地研究了随后热处理过程中He注入空腔的形成、He气体原子的热释放以及注入损伤引起的光致发光特性.结果表明,He离子注入及随后的高温热处理会在单晶Si中产生宽度约为220 nm的空腔带,同时伴随着He气体原子从注入产生的缺陷中释放出来.He气体原子的热释放可以明显地分为两个温度阶段,分别对应于He原子从小的空位型缺陷和大的空腔中的热释放.此外,He离子的注入还会在单晶Si中产生明显发光中心,导致了波长约为680 nm和930 nm的两个光致发光带.该光致发光带的出现可能跟He离子注入及退火过程中产生的纳米Si团簇有关.
室溫下使用40 keV He離子註入單晶Si樣品到劑量5×1016 cm-2,分彆採用透射電子顯微鏡(TEM)、熱解吸譜儀(THDS)、光緻髮光譜儀(PL)詳細地研究瞭隨後熱處理過程中He註入空腔的形成、He氣體原子的熱釋放以及註入損傷引起的光緻髮光特性.結果錶明,He離子註入及隨後的高溫熱處理會在單晶Si中產生寬度約為220 nm的空腔帶,同時伴隨著He氣體原子從註入產生的缺陷中釋放齣來.He氣體原子的熱釋放可以明顯地分為兩箇溫度階段,分彆對應于He原子從小的空位型缺陷和大的空腔中的熱釋放.此外,He離子的註入還會在單晶Si中產生明顯髮光中心,導緻瞭波長約為680 nm和930 nm的兩箇光緻髮光帶.該光緻髮光帶的齣現可能跟He離子註入及退火過程中產生的納米Si糰簇有關.
실온하사용40 keV He리자주입단정Si양품도제량5×1016 cm-2,분별채용투사전자현미경(TEM)、열해흡보의(THDS)、광치발광보의(PL)상세지연구료수후열처리과정중He주입공강적형성、He기체원자적열석방이급주입손상인기적광치발광특성.결과표명,He리자주입급수후적고온열처리회재단정Si중산생관도약위220 nm적공강대,동시반수착He기체원자종주입산생적결함중석방출래.He기체원자적열석방가이명현지분위량개온도계단,분별대응우He원자종소적공위형결함화대적공강중적열석방.차외,He리자적주입환회재단정Si중산생명현발광중심,도치료파장약위680 nm화930 nm적량개광치발광대.해광치발광대적출현가능근He리자주입급퇴화과정중산생적납미Si단족유관.
