物理学报
物理學報
물이학보
2007年
7期
4213-4217
,共5页
包志华%景为平%罗向东%谭平恒
包誌華%景為平%囉嚮東%譚平恆
포지화%경위평%라향동%담평항
半绝缘GaAs%显微光致发光%自旋轨道分裂
半絕緣GaAs%顯微光緻髮光%自鏇軌道分裂
반절연GaAs%현미광치발광%자선궤도분렬
通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348 eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E0+△0能级的非平衡荧光发射.同时,通过研究E0+△0能级的偏振、激发光强度依赖关系,以及温度依赖关系说明E0+△0能级与带边E0共享了共同的导带位置Г6,同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时,通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较,半绝缘GaAs晶体的E0+△0能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E0+△0的能量位置和物理性质.研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具.
通過顯微光緻髮光技術和顯微拉曼(Raman)技術研究瞭半絕緣GaAs(SI-GaAs)晶體的帶邊附近的髮光.在光熒光譜中,觀察到在高于GaAs帶邊0.348 eV處有一箇新的熒光峰.結閤Raman譜指認此髮光峰來源于GaAs的E0+△0能級的非平衡熒光髮射.同時,通過研究E0+△0能級的偏振、激髮光彊度依賴關繫,以及溫度依賴關繫說明E0+△0能級與帶邊E0共享瞭共同的導帶位置Г6,同時這也說明在GaAs中主要是導帶的性質決定瞭材料的光學行為.同時,通過與n-GaAs和δ摻雜GaAs相比較,半絕緣GaAs晶體的E0+△0能級的髮光峰更能反映GaAs電子能級高臨界點E0+△0的能量位置和物理性質.研究結果說明顯微光緻髮光技術是研究半導體材料帶邊以上能級光學性質的一種非常有力的研究工具.
통과현미광치발광기술화현미랍만(Raman)기술연구료반절연GaAs(SI-GaAs)정체적대변부근적발광.재광형광보중,관찰도재고우GaAs대변0.348 eV처유일개신적형광봉.결합Raman보지인차발광봉래원우GaAs적E0+△0능급적비평형형광발사.동시,통과연구E0+△0능급적편진、격발광강도의뢰관계,이급온도의뢰관계설명E0+△0능급여대변E0공향료공동적도대위치Г6,동시저야설명재GaAs중주요시도대적성질결정료재료적광학행위.동시,통과여n-GaAs화δ참잡GaAs상비교,반절연GaAs정체적E0+△0능급적발광봉경능반영GaAs전자능급고림계점E0+△0적능량위치화물이성질.연구결과설명현미광치발광기술시연구반도체재료대변이상능급광학성질적일충비상유력적연구공구.
