微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2007年
6期
842-847
,共6页
静电保护%NMOSFET%半导体器件%器件模型
靜電保護%NMOSFET%半導體器件%器件模型
정전보호%NMOSFET%반도체기건%기건모형
随着现代集成电路的集成度越来越高,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)己成为电路失效一个不可忽视的原因.对电路级ESD的可靠性进行模拟是一个重要的研究课题.给出了在ESD应力下的NMOSFET模型,重点讨论了雪崩击穿区、瞬间回落区,以及二次击穿区的物理过程及其数学描述.
隨著現代集成電路的集成度越來越高,靜電放電(Electrostatic Discharge,ESD)己成為電路失效一箇不可忽視的原因.對電路級ESD的可靠性進行模擬是一箇重要的研究課題.給齣瞭在ESD應力下的NMOSFET模型,重點討論瞭雪崩擊穿區、瞬間迴落區,以及二次擊穿區的物理過程及其數學描述.
수착현대집성전로적집성도월래월고,정전방전(Electrostatic Discharge,ESD)기성위전로실효일개불가홀시적원인.대전로급ESD적가고성진행모의시일개중요적연구과제.급출료재ESD응력하적NMOSFET모형,중점토론료설붕격천구、순간회락구,이급이차격천구적물리과정급기수학묘술.
