功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2008年
7期
1144-1146,1150
,共4页
张新安%张景文%张伟风%王东%毕臻%张杰%侯洵
張新安%張景文%張偉風%王東%畢臻%張傑%侯洵
장신안%장경문%장위풍%왕동%필진%장걸%후순
ZnO 薄膜%薄膜晶体管%绝缘层%光学透过率
ZnO 薄膜%薄膜晶體管%絕緣層%光學透過率
ZnO 박막%박막정체관%절연층%광학투과솔
采用光刻剥离工艺和射频磁控溅射法分别在(100)硅片和ITO玻璃衬底上制备了以氧化锌为沟道层的底栅式薄膜晶体管(ZnO-TFT).用X射线衍射仪、原子力显微镜对生长在绝缘层上的ZnO薄膜进行了表征.在硅衬底ZnO-TFT中,热氧化生长的二氧化硅薄膜作为绝缘层,金属铝用作源漏电极,该器件工作在N沟道增强模式,其阈值电压为8V,电流开关比为5×103,电子的场迁移率达到0.61cm2/(V·s).在以ITO玻璃为衬底的透明ZnO-TFT中,分别采用了SiO2、Al2O3、SiNx、PbTiO3薄膜作为绝缘层,实验表明生长在不同绝缘层上的ZnO薄膜都有很高的c轴择优取向,透明ZnO-TFT在可见光波段的平均透过率达到85%.
採用光刻剝離工藝和射頻磁控濺射法分彆在(100)硅片和ITO玻璃襯底上製備瞭以氧化鋅為溝道層的底柵式薄膜晶體管(ZnO-TFT).用X射線衍射儀、原子力顯微鏡對生長在絕緣層上的ZnO薄膜進行瞭錶徵.在硅襯底ZnO-TFT中,熱氧化生長的二氧化硅薄膜作為絕緣層,金屬鋁用作源漏電極,該器件工作在N溝道增彊模式,其閾值電壓為8V,電流開關比為5×103,電子的場遷移率達到0.61cm2/(V·s).在以ITO玻璃為襯底的透明ZnO-TFT中,分彆採用瞭SiO2、Al2O3、SiNx、PbTiO3薄膜作為絕緣層,實驗錶明生長在不同絕緣層上的ZnO薄膜都有很高的c軸擇優取嚮,透明ZnO-TFT在可見光波段的平均透過率達到85%.
채용광각박리공예화사빈자공천사법분별재(100)규편화ITO파리츤저상제비료이양화자위구도층적저책식박막정체관(ZnO-TFT).용X사선연사의、원자력현미경대생장재절연층상적ZnO박막진행료표정.재규츤저ZnO-TFT중,열양화생장적이양화규박막작위절연층,금속려용작원루전겁,해기건공작재N구도증강모식,기역치전압위8V,전류개관비위5×103,전자적장천이솔체도0.61cm2/(V·s).재이ITO파리위츤저적투명ZnO-TFT중,분별채용료SiO2、Al2O3、SiNx、PbTiO3박막작위절연층,실험표명생장재불동절연층상적ZnO박막도유흔고적c축택우취향,투명ZnO-TFT재가견광파단적평균투과솔체도85%.
