半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
8期
591-594,603
,共5页
程加力%韩波%李寿林%翟国华%高建军
程加力%韓波%李壽林%翟國華%高建軍
정가력%한파%리수림%적국화%고건군
等效电路模型%参数提取%射频MOSFET%GaAs STATZ模型%直流模型
等效電路模型%參數提取%射頻MOSFET%GaAs STATZ模型%直流模型
등효전로모형%삼수제취%사빈MOSFET%GaAs STATZ모형%직류모형
STATZ模型是表征GaAs MESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点.通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数.为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻.在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性.晶体管采用中芯国际的0.13 μm RF CMOS工艺制作.
STATZ模型是錶徵GaAs MESFET特性的常用模型,具有錶達式簡潔、參數少的優點.通過嘗試將STATZ模型用于錶徵射頻MOSFET的直流特性,提取併在ADS軟件中優化瞭STATZ直流模型的參數.為瞭提高倣真精度,模型必鬚攷慮晶體管漏極與源極的寄生電阻,根據MOSFET處于彊反型區且漏-源電壓為零時的等效電路模型提取瞭晶體管的漏極和源極的寄生電阻.在ADS軟件中利用STATZ模型對MOSFET的直流特性進行瞭倣真,測量的MOSFET直流麯線與倣真麯線一緻性很好,驗證瞭模型的良好的精確度,證明瞭GaAs STATZ模型可以用于錶徵射頻MOSFET的直流特性.晶體管採用中芯國際的0.13 μm RF CMOS工藝製作.
STATZ모형시표정GaAs MESFET특성적상용모형,구유표체식간길、삼수소적우점.통과상시장STATZ모형용우표정사빈MOSFET적직류특성,제취병재ADS연건중우화료STATZ직류모형적삼수.위료제고방진정도,모형필수고필정체관루겁여원겁적기생전조,근거MOSFET처우강반형구차루-원전압위령시적등효전로모형제취료정체관적루겁화원겁적기생전조.재ADS연건중이용STATZ모형대MOSFET적직류특성진행료방진,측량적MOSFET직류곡선여방진곡선일치성흔호,험증료모형적량호적정학도,증명료GaAs STATZ모형가이용우표정사빈MOSFET적직류특성.정체관채용중심국제적0.13 μm RF CMOS공예제작.
