高技术通讯
高技術通訊
고기술통신
HIGH TECHNOLOGY LETTERS
2001年
2期
38-39
,共2页
王晓晖%刘祥林%陆大成%袁海荣%韩培德%汪度
王曉暉%劉祥林%陸大成%袁海榮%韓培德%汪度
왕효휘%류상림%륙대성%원해영%한배덕%왕도
MOVPE%InGaN%单量子阱%绿光LED
MOVPE%InGaN%單量子阱%綠光LED
MOVPE%InGaN%단양자정%록광LED
采用金属有机物气相外延（MOVPE）方法，生长出InGaN/G aN单量子阱结构的绿光发光 二极管（LED）。测量了其电致发光光谱及发光强度与注入电流的关系。室温正向偏置下 ，在20mA的注入电流时，发光波长峰值为530nm，半高宽为30nm。当注入电流小于40mA时 ，发光强度随注入电流的增大单调递增。这是中国国内首次研制出的InGaN单量子阱结构的 绿光LED。
採用金屬有機物氣相外延（MOVPE）方法，生長齣InGaN/G aN單量子阱結構的綠光髮光 二極管（LED）。測量瞭其電緻髮光光譜及髮光彊度與註入電流的關繫。室溫正嚮偏置下 ，在20mA的註入電流時，髮光波長峰值為530nm，半高寬為30nm。噹註入電流小于40mA時 ，髮光彊度隨註入電流的增大單調遞增。這是中國國內首次研製齣的InGaN單量子阱結構的 綠光LED。
채용금속유궤물기상외연（MOVPE）방법，생장출InGaN/G aN단양자정결구적록광발광 이겁관（LED）。측량료기전치발광광보급발광강도여주입전류적관계。실온정향편치하 ，재20mA적주입전류시，발광파장봉치위530nm，반고관위30nm。당주입전류소우40mA시 ，발광강도수주입전류적증대단조체증。저시중국국내수차연제출적InGaN단양자정결구적 록광LED。
InGaN green LEDs with single quantum well structures based on Ⅲ-Ⅴ nitrides ar e grown by MOVPE on sapphire substrates. The peak wavelength and the full width a t half-maximum(FWHM ) of the electroluminescence are 530nm and 30nm, respectiv ely. SQW green LEDs are fabricated successfully for the first time in China.
