半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
1期
138-142
,共5页
王文辉%唐衍哲%戈肖鸿%吴亚明%杨建义%王跃林
王文輝%唐衍哲%戈肖鴻%吳亞明%楊建義%王躍林
왕문휘%당연철%과초홍%오아명%양건의%왕약림
刻蚀光栅%波导镜%电感耦合等离子体刻蚀%绝缘材料上的硅%分波器
刻蝕光柵%波導鏡%電感耦閤等離子體刻蝕%絕緣材料上的硅%分波器
각식광책%파도경%전감우합등리자체각식%절연재료상적규%분파기
研究了基于绝缘材料上的硅(SOI)材料的平面波导刻蚀光栅分波器的主要制作工艺.利用电感耦合等离子体刻蚀(ICP)技术,在SOI材料上制作了垂直度大于89°的光滑的光栅槽面.氧化抛光后刻蚀侧壁的表面均方根粗糙度(RMS)有3nm的改善,达到7.27nm(采样面积6.2μm×26μm).通过采用集成波导拐弯微镜代替弯曲波导使1×4分波器的器件尺寸仅为20mm×2.5mm.测试结果表明器件实现了分波功能.
研究瞭基于絕緣材料上的硅(SOI)材料的平麵波導刻蝕光柵分波器的主要製作工藝.利用電感耦閤等離子體刻蝕(ICP)技術,在SOI材料上製作瞭垂直度大于89°的光滑的光柵槽麵.氧化拋光後刻蝕側壁的錶麵均方根粗糙度(RMS)有3nm的改善,達到7.27nm(採樣麵積6.2μm×26μm).通過採用集成波導枴彎微鏡代替彎麯波導使1×4分波器的器件呎吋僅為20mm×2.5mm.測試結果錶明器件實現瞭分波功能.
연구료기우절연재료상적규(SOI)재료적평면파도각식광책분파기적주요제작공예.이용전감우합등리자체각식(ICP)기술,재SOI재료상제작료수직도대우89°적광활적광책조면.양화포광후각식측벽적표면균방근조조도(RMS)유3nm적개선,체도7.27nm(채양면적6.2μm×26μm).통과채용집성파도괴만미경대체만곡파도사1×4분파기적기건척촌부위20mm×2.5mm.측시결과표명기건실현료분파공능.
