光电子技术与信息
光電子技術與信息
광전자기술여신식
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY & INFORMATION
2005年
2期
47-49
,共3页
光折变晶体%光电导%全息光栅%陷阱密度
光摺變晶體%光電導%全息光柵%陷阱密度
광절변정체%광전도%전식광책%함정밀도
通过分析体全息光栅的读取过程,得到光折变晶体Cu:KNSBN的光电导在入射光强为5×104W/m2时的典型值为σph=3.01×10-10 A·m-2.实验得到光电导与入射光强是指数约为b=0.8的亚线性关系,从而得到满陷阱与空陷阱之密度比的定量表示式为(CCu+/CCu2+)=αIb-1.在观测的波长范围内,b随着波长缩短而增大.
通過分析體全息光柵的讀取過程,得到光摺變晶體Cu:KNSBN的光電導在入射光彊為5×104W/m2時的典型值為σph=3.01×10-10 A·m-2.實驗得到光電導與入射光彊是指數約為b=0.8的亞線性關繫,從而得到滿陷阱與空陷阱之密度比的定量錶示式為(CCu+/CCu2+)=αIb-1.在觀測的波長範圍內,b隨著波長縮短而增大.
통과분석체전식광책적독취과정,득도광절변정체Cu:KNSBN적광전도재입사광강위5×104W/m2시적전형치위σph=3.01×10-10 A·m-2.실험득도광전도여입사광강시지수약위b=0.8적아선성관계,종이득도만함정여공함정지밀도비적정량표시식위(CCu+/CCu2+)=αIb-1.재관측적파장범위내,b수착파장축단이증대.
