半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
4期
707-710
,共4页
动力学蒙特卡罗模拟%量子点%外延生长
動力學矇特卡囉模擬%量子點%外延生長
동역학몽특잡라모의%양자점%외연생장
采用动力学蒙特卡罗模拟方法对GaAs图形衬底上自组织生长InAs量子点的停顿过程进行了研究.用衬底束缚能的表面分布模拟衬底图形,考察生长之后的停顿时间对量子点形成的影响.结果表明,合适的停顿时间使图形衬底上的量子点分布更趋规则化,对量子点的定位生长有积极的影响.
採用動力學矇特卡囉模擬方法對GaAs圖形襯底上自組織生長InAs量子點的停頓過程進行瞭研究.用襯底束縳能的錶麵分佈模擬襯底圖形,攷察生長之後的停頓時間對量子點形成的影響.結果錶明,閤適的停頓時間使圖形襯底上的量子點分佈更趨規則化,對量子點的定位生長有積極的影響.
채용동역학몽특잡라모의방법대GaAs도형츤저상자조직생장InAs양자점적정돈과정진행료연구.용츤저속박능적표면분포모의츤저도형,고찰생장지후적정돈시간대양자점형성적영향.결과표명,합괄적정돈시간사도형츤저상적양자점분포경추규칙화,대양자점적정위생장유적겁적영향.
