固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2006年
2期
148-151,156
,共5页
邹晓%徐静平%李艳萍%陈卫兵%苏绍斌
鄒曉%徐靜平%李豔萍%陳衛兵%囌紹斌
추효%서정평%리염평%진위병%소소빈
锗硅沟道%金属-氧化物-半导体场效应管%阈值电压%短沟道效应
鍺硅溝道%金屬-氧化物-半導體場效應管%閾值電壓%短溝道效應
타규구도%금속-양화물-반도체장효응관%역치전압%단구도효응
通过求解泊松方程,综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应,建立了小尺寸SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型,模拟结果和实验数据吻合良好.模拟分析表明,当SiGe沟道长度小于200 nm时,阈值电压受沟道长度、Ge组份、衬底掺杂浓度、盖帽层厚度、栅氧化层厚度的影响较大.而对于500 nm以上的沟道长度,可忽略短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响.
通過求解泊鬆方程,綜閤攷慮短溝道效應和漏緻勢壘降低效應,建立瞭小呎吋SiGe溝道pMOSFET閾值電壓模型,模擬結果和實驗數據吻閤良好.模擬分析錶明,噹SiGe溝道長度小于200 nm時,閾值電壓受溝道長度、Ge組份、襯底摻雜濃度、蓋帽層厚度、柵氧化層厚度的影響較大.而對于500 nm以上的溝道長度,可忽略短溝道效應和漏緻勢壘降低效應對閾值電壓的影響.
통과구해박송방정,종합고필단구도효응화루치세루강저효응,건립료소척촌SiGe구도pMOSFET역치전압모형,모의결과화실험수거문합량호.모의분석표명,당SiGe구도장도소우200 nm시,역치전압수구도장도、Ge조빈、츤저참잡농도、개모층후도、책양화층후도적영향교대.이대우500 nm이상적구도장도,가홀략단구도효응화루치세루강저효응대역치전압적영향.
