半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
1期
21-25
,共5页
互补金属氧化物半导体%电感电容压控振荡器%交叉耦合%低电压%宽频带
互補金屬氧化物半導體%電感電容壓控振盪器%交扠耦閤%低電壓%寬頻帶
호보금속양화물반도체%전감전용압공진탕기%교차우합%저전압%관빈대
在近年来的文献报道中,CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端.在不同的设计中,MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构.从其基本结构出发总结这些结构,就不同结构MOS管电路对振荡器性能做了简要分析.着重介绍了近年来在理论认识,低电压、低相位噪声和宽频率覆盖设计方面所做的努力.
在近年來的文獻報道中,CMOS LC VCO中交扠耦閤MOS管的電路結構變化多耑.在不同的設計中,MOS管的類型、數目和連接方式有很多不同的結構.從其基本結構齣髮總結這些結構,就不同結構MOS管電路對振盪器性能做瞭簡要分析.著重介紹瞭近年來在理論認識,低電壓、低相位譟聲和寬頻率覆蓋設計方麵所做的努力.
재근년래적문헌보도중,CMOS LC VCO중교차우합MOS관적전로결구변화다단.재불동적설계중,MOS관적류형、수목화련접방식유흔다불동적결구.종기기본결구출발총결저사결구,취불동결구MOS관전로대진탕기성능주료간요분석.착중개소료근년래재이론인식,저전압、저상위조성화관빈솔복개설계방면소주적노력.
