CAJ | 학술논문

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅(a-Si)NIP太阳能电池,其中电池的窗口层采用P型晶化硅薄膜,电池结构为Al/glass/SnO2/N(a-Si:H)/I(a-Si:H)/P(cryst-Si:H)/ITO/Al.为了使P型晶化硅薄膜能够在a-Si表面成功生长,电池制备过程中采用了H等离子体处理a-Si表面的方法.通过调节电池P层和N层厚度和H等离子体处理a-Si表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺.结果表明,使用H等离子体处理a-Si表面5 min,可以在a-Si表面获得高电导率的P型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P型晶化硅层沉积时间12.5 min,N层沉积12 min,此种结构电池特性最好,效率达6.40%.通过调整P型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能.
채용사빈등리자체증강화학기상침적(RF-PECVD)기술제비비정규(a-Si)NIP태양능전지,기중전지적창구층채용P형정화규박막,전지결구위Al/glass/SnO2/N(a-Si:H)/I(a-Si:H)/P(cryst-Si:H)/ITO/Al.위료사P형정화규박막능구재a-Si표면성공생장,전지제비과정중채용료H등리자체처리a-Si표면적방법.통과조절전지P층화N층후도화H등리자체처리a-Si표면적시간,우화료태양능전지적제비공예.결과표명,사용H등리자체처리a-Si표면5 min,가이재a-Si표면획득고전도솔적P형정화규박막,병차저충결구가이응용도전지상;당P형정화규층침적시간12.5 min,N층침적12 min,차충결구전지특성최호,효솔체6.40%.통과조정P형정화규박막적결구특정,장능진일보개선전지적성능.