天津工程师范学院学报
天津工程師範學院學報
천진공정사범학원학보
JOURNAL OF TIANJIN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND EDUCATION
2008年
3期
44-46
,共3页
快中子辐照%辐照缺陷%双空位%傅立叶红外吸收光谱(FTIR)%正电子湮没技术(PAS)
快中子輻照%輻照缺陷%雙空位%傅立葉紅外吸收光譜(FTIR)%正電子湮沒技術(PAS)
쾌중자복조%복조결함%쌍공위%부립협홍외흡수광보(FTIR)%정전자인몰기술(PAS)
利用傅立叶红外吸收光谱(FTIR)和正电子湮没技术(PAS)对快中子辐照直拉硅中的双空位(V2)的退火行为进行了研究.实验表明,双空位主要通过捕获VO而消失,因V3O与V2有相同的正电子寿命,因此,正电子湮没谱中V2成分比IR吸收谱中V2的消除温度提高大约100℃.
利用傅立葉紅外吸收光譜(FTIR)和正電子湮沒技術(PAS)對快中子輻照直拉硅中的雙空位(V2)的退火行為進行瞭研究.實驗錶明,雙空位主要通過捕穫VO而消失,因V3O與V2有相同的正電子壽命,因此,正電子湮沒譜中V2成分比IR吸收譜中V2的消除溫度提高大約100℃.
이용부립협홍외흡수광보(FTIR)화정전자인몰기술(PAS)대쾌중자복조직랍규중적쌍공위(V2)적퇴화행위진행료연구.실험표명,쌍공위주요통과포획VO이소실,인V3O여V2유상동적정전자수명,인차,정전자인몰보중V2성분비IR흡수보중V2적소제온도제고대약100℃.
