中国稀土学报
中國稀土學報
중국희토학보
JOURNAL OF THE CHINESE RARE EARTH SOCIETY
2011年
2期
185-189
,共5页
陈永杰%李郎楷%肖林久%刘婷婷
陳永傑%李郎楷%肖林久%劉婷婷
진영걸%리랑해%초림구%류정정
白光荧光粉%色坐标%LED%InGaN芯片%稀土
白光熒光粉%色坐標%LED%InGaN芯片%稀土
백광형광분%색좌표%LED%InGaN심편%희토
采用高温固相法制备了Eu2+/Mn2+单激活和共激活的M3MgSi2O8-M2SiO4(M=Ba,Ca)两相荧光粉.通过X射线衍射(XRD)和荧光光谱(PL)对样品材料的晶体结构和光谱性能进行了表征.XRD测试结果表明所合成的样品具有M3MgSi2O8和M2SiO4两种晶相结构.PL测试显示,Eu2+在Ba3MgSi2O8-Ba2SiO4体系中发射442和502nm两个波带的光;而Eu2+在Ca2+部分取代Ba2+的BaCa2MgSi2O8-Ba1.31Ca0.69SiO4体系中发射420～520nm的连续波带,并且激发光谱向长波扩展,更加适用于被InGaN芯片(395 nm)激发.通过改变Mn2+的掺杂量可制得颜色可调的BaCa2MgSi2O8-Ba1.31Ca0.69SiO4:Eu2+,Mn2+白光荧光粉.
採用高溫固相法製備瞭Eu2+/Mn2+單激活和共激活的M3MgSi2O8-M2SiO4(M=Ba,Ca)兩相熒光粉.通過X射線衍射(XRD)和熒光光譜(PL)對樣品材料的晶體結構和光譜性能進行瞭錶徵.XRD測試結果錶明所閤成的樣品具有M3MgSi2O8和M2SiO4兩種晶相結構.PL測試顯示,Eu2+在Ba3MgSi2O8-Ba2SiO4體繫中髮射442和502nm兩箇波帶的光;而Eu2+在Ca2+部分取代Ba2+的BaCa2MgSi2O8-Ba1.31Ca0.69SiO4體繫中髮射420～520nm的連續波帶,併且激髮光譜嚮長波擴展,更加適用于被InGaN芯片(395 nm)激髮.通過改變Mn2+的摻雜量可製得顏色可調的BaCa2MgSi2O8-Ba1.31Ca0.69SiO4:Eu2+,Mn2+白光熒光粉.
채용고온고상법제비료Eu2+/Mn2+단격활화공격활적M3MgSi2O8-M2SiO4(M=Ba,Ca)량상형광분.통과X사선연사(XRD)화형광광보(PL)대양품재료적정체결구화광보성능진행료표정.XRD측시결과표명소합성적양품구유M3MgSi2O8화M2SiO4량충정상결구.PL측시현시,Eu2+재Ba3MgSi2O8-Ba2SiO4체계중발사442화502nm량개파대적광;이Eu2+재Ca2+부분취대Ba2+적BaCa2MgSi2O8-Ba1.31Ca0.69SiO4체계중발사420～520nm적련속파대,병차격발광보향장파확전,경가괄용우피InGaN심편(395 nm)격발.통과개변Mn2+적참잡량가제득안색가조적BaCa2MgSi2O8-Ba1.31Ca0.69SiO4:Eu2+,Mn2+백광형광분.
