信息与电子工程
信息與電子工程
신식여전자공정
INFORMATION AND ELECTRONIC ENGINEERING
2011年
3期
347-350
,共4页
罗跃川%韩尚君%王雪敏%吴卫东%唐永建
囉躍川%韓尚君%王雪敏%吳衛東%唐永建
라약천%한상군%왕설민%오위동%당영건
GaAs/AlGaAs多层膜%湿法刻蚀%感应耦合等离子体刻蚀%陡直度
GaAs/AlGaAs多層膜%濕法刻蝕%感應耦閤等離子體刻蝕%陡直度
GaAs/AlGaAs다층막%습법각식%감응우합등리자체각식%두직도
GaAs/AlGaAs多层膜的陡直度较大程度地关系到其实际应用效果,但在实际加工中较难控制,因此有必要研究刻蚀过程中一些主要因素对其陡直度的影响.结合具体工作情况,用AZ1500光刻胶作为掩模,GaAs/Al0.15Ga0.85As多层膜为刻蚀材料,分别使用湿法和干法对其进行刻蚀.湿法刻蚀的刻蚀剂为H3PO4+H2O2溶液,干法刻蚀采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀法,等离子体由Cl2+BCl3(蒸汽)混合气体电离形成.通过控制变量方法,发现湿法刻蚀中刻蚀剂配比和温度以及干法刻蚀中BCl3(蒸汽)流量对刻蚀陡直度的影响规律.由此得出,提高H3PO4所占比例和降低刻蚀温度虽然会降低刻蚀速率,但可以提高多层膜的陡直度;ICP刻蚀的陡直度优于湿法刻蚀,BCl3(蒸汽)的流量在一定范围内对刻蚀陡直度的影响较小.
GaAs/AlGaAs多層膜的陡直度較大程度地關繫到其實際應用效果,但在實際加工中較難控製,因此有必要研究刻蝕過程中一些主要因素對其陡直度的影響.結閤具體工作情況,用AZ1500光刻膠作為掩模,GaAs/Al0.15Ga0.85As多層膜為刻蝕材料,分彆使用濕法和榦法對其進行刻蝕.濕法刻蝕的刻蝕劑為H3PO4+H2O2溶液,榦法刻蝕採用感應耦閤等離子體(ICP)刻蝕法,等離子體由Cl2+BCl3(蒸汽)混閤氣體電離形成.通過控製變量方法,髮現濕法刻蝕中刻蝕劑配比和溫度以及榦法刻蝕中BCl3(蒸汽)流量對刻蝕陡直度的影響規律.由此得齣,提高H3PO4所佔比例和降低刻蝕溫度雖然會降低刻蝕速率,但可以提高多層膜的陡直度;ICP刻蝕的陡直度優于濕法刻蝕,BCl3(蒸汽)的流量在一定範圍內對刻蝕陡直度的影響較小.
GaAs/AlGaAs다층막적두직도교대정도지관계도기실제응용효과,단재실제가공중교난공제,인차유필요연구각식과정중일사주요인소대기두직도적영향.결합구체공작정황,용AZ1500광각효작위엄모,GaAs/Al0.15Ga0.85As다층막위각식재료,분별사용습법화간법대기진행각식.습법각식적각식제위H3PO4+H2O2용액,간법각식채용감응우합등리자체(ICP)각식법,등리자체유Cl2+BCl3(증기)혼합기체전리형성.통과공제변량방법,발현습법각식중각식제배비화온도이급간법각식중BCl3(증기)류량대각식두직도적영향규률.유차득출,제고H3PO4소점비례화강저각식온도수연회강저각식속솔,단가이제고다층막적두직도;ICP각식적두직도우우습법각식,BCl3(증기)적류량재일정범위내대각식두직도적영향교소.
