物理化学学报
物理化學學報
물이화학학보
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA
2012年
1期
73-77
,共5页
A-T碱基对%加成反应%羟基自由基%电子亲合势%单电子氧化还原
A-T堿基對%加成反應%羥基自由基%電子親閤勢%單電子氧化還原
A-T감기대%가성반응%간기자유기%전자친합세%단전자양화환원
采用密度泛函理论在B3LYP/DZP++//B3LYP/6-31 ++G(d,p)水平上研究A-T碱基对的单羟基加成产物的氧化还原性质.计算表明,所有8种加成复合物都表现出显著的氧化性,但其还原性却很弱.加成复合物AC2-T、AC4-T、AC5-T的俘获电子诱发T碱基N3位上的H原子向A碱基的N1位迁移,产生这种氢迁移的根源在于A碱基俘获电子后电子密度较大,有利于在A碱基上形成新的N-H键.
採用密度汎函理論在B3LYP/DZP++//B3LYP/6-31 ++G(d,p)水平上研究A-T堿基對的單羥基加成產物的氧化還原性質.計算錶明,所有8種加成複閤物都錶現齣顯著的氧化性,但其還原性卻很弱.加成複閤物AC2-T、AC4-T、AC5-T的俘穫電子誘髮T堿基N3位上的H原子嚮A堿基的N1位遷移,產生這種氫遷移的根源在于A堿基俘穫電子後電子密度較大,有利于在A堿基上形成新的N-H鍵.
채용밀도범함이론재B3LYP/DZP++//B3LYP/6-31 ++G(d,p)수평상연구A-T감기대적단간기가성산물적양화환원성질.계산표명,소유8충가성복합물도표현출현저적양화성,단기환원성각흔약.가성복합물AC2-T、AC4-T、AC5-T적부획전자유발T감기N3위상적H원자향A감기적N1위천이,산생저충경천이적근원재우A감기부획전자후전자밀도교대,유리우재A감기상형성신적N-H건.
